中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法获美国专利

中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套制备工艺方法,

中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介

中国电子科技集团公司第十三研究所研发生产半导体激光器、固态激光器和光纤激光器三大系列激光器。半导体激光器以高功率为主要特点,在800-1064nm近红外波段,连续功率达到3000W,脉冲功率达到5000W,

中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路

日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。

中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路

日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。

微波等离子化学气相沉积法制备高浓度金刚石-空位色心及其性能研究

金刚石氮-空位(NV)色心在室温下稳定性好,电子自旋相干时间长,能被激光和微波操控,是量子探测领域最具潜力的结构.本研究采用微波等离子化学气相沉积法(MPCVD)制备具有较高氮含量的金刚石单晶,以构建高浓度NV色心.通过在前驱体气体中掺杂不同含量的氮原子,解决了高氮条件下长时间生长金刚石单晶出现的诸多问题,制备氮含量约为0.205,5,8,11,15,36和54 ppm(1 ppm=10^(-6))的高氮金刚石单晶.初步确定了前驱体气体中氮含量与进入到金刚石单晶晶格中氮含量的关系平均约为11,氮原子在金刚石单晶中主要以聚集态氮和单个替位N+形式存在.对高氮金刚石单晶进行电子辐照,显著提升了金刚石NV色心浓度,并对辐照后NV色心材料的磁探测性能进行验证.

光电子技术在信息通信领域的应用与前景研究

随着科技的飞速发展,光电子技术已经在信息通信领域体现出重要的应用价值和潜力。本研究通过详细阐述光电子技术的基本原理及其在信息通信中的主要应用,比如在光通信、图像处理、光存储、传感器等方面,揭示了光电子技术对信息通信的重要贡献。研究发现,利用光电子技术,不仅可以实现高速、高容量的数据传输,同时也可以提高系统的稳定性,降低能耗。然而,光电子技术在信息通信领域的应用还面临一些挑战,例如技术复杂性以及可靠性问题。本研究提出一些潜在的解决方案,如发展新的材料和设备,优化系统结构,及加强相关领域的研究等,以推动光电子技术在信息通信领域的进一步发展。

微电子封装化学镀镍工艺研究及应用

在微细图形上实施化学镀有一定的技术难度,尤其是在批量生产中。通过研究工艺条件对镀层的影响,探索出微电子封装化学镀镍的工艺参数的适宜范围分别为:23～27g/L的镍盐、4～6g/L的还原剂、pH值4 5左右、温度(90±2)℃。经试验筛选出合适的镀液稳定剂Tl2+,使批量生产的封装微细图形不"糊片",无镍粒。用X射线荧光测厚仪及化学分析方法对生产过程中的镀液成分进行测定,确定了维护镀液所用的补充液的组分,从而延长了镀液的使用寿命,满足了微电子封装批量生产的要求。

电子组件温度循环试验研究

为了使温度循环试验在有效提高电子组件的可靠性方面得以广泛应用,基于温度循环试验的机理,对电子组件温度循环试验的关键参数(温度范围、循环次数、保持时间、温变速率、风速)进行了探讨,给出了这些参数的工程经验选取值。在此基础上,借助热分析软件分析了温变速率、保持时间和风速三个参数对试验过程的影响并定性分析了三个参数间的关系。最后,提出了进行温度循环试验时应注意的问题,强调科学、正确地执行温度循环试验的重要性。

军工电子智能制造标准体系框架探索研究

本文以军工电子智能制造转型升级需求为引,结合军工电子科研、生产、保障和管理业务的特点,构建由生命周期、系统层级和智能特征组成的三维军工电子智能制造系统架构。进一步分析智能制造系统架构中各层次体系间的逻辑关系,形成关键支撑技术和智能运营技术,与基础共性标准、应用标准共同构成军工电子智能制造标准体系结构。对军工电子智能制造标准体系结构分解细化,进而建立军工电子智能制造标准体系框架,指导军工电子智能制造标准体系建设及相关标准立项工作。

微电子器件温度分布测试技术研究

为改善微电子器件性能,提高可靠性,确定筛选、考核条件等都必须对器件的结温、表面温度分布以及热斑等热特性进行精确测量,红外热像法是当前测量微电子器件热特性最有效的方法之一。文章针对InfrascopeⅡ型显微红外热像仪在实际应用中如何提高其测温准确度和一致性等问题进行了研究,重点分析了样品发射率、背景环境和大气衰减等因素的影响,并给出验证解决方案,取得了满意的结果。

金刚石电子器件的研究进展

简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率。回顾了金刚石器件的研究进程。讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层。详细描述了几种具有潜力的金刚石电子器件,如高压二极管和功率场效应管。尽管金刚石器件研究仍存在一些问题,如掺杂机理复杂,金刚石的单晶尺寸太小等,严重制约金刚石电子的进展,但是由于金刚石是超高功率和高温器件的优良半导体材料,具有替代行波管技术的潜力。当前,CVD金刚石已经大量用于微电子和光电子,包括激光二极管、微波器件、半导体散热器等。

石墨烯基电子学研究进展

综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状。介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法。列举了石墨烯在电子、显示、太阳电池、传感器和氢存储等方面的应用,如在石墨烯场效应管、石墨烯纳米带场效应管(SET)、石墨烯单电子晶体管、石墨烯金属晶体管、石墨烯基纳米电子机械系统(NEMS)、石墨烯分子开关以及石墨烯基高电子迁移率晶体管(HEMT)制备方面的应用。人们已经研究出不同栅长的n/p型顶栅石墨烯场效应管(GFET),并采用标准的S参数直接表征器件的高频性能。理论和实验表明,所有石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)在室温下工作的前提是GNR的带宽尺寸小于10nm,并具有半导体场效应管的性能。

微电子器件红外测温中的发射率测量方法研究

为了使红外热像仪能够准确测量微电子器件中微米级发热结构的温度,并克服由热胀冷缩引起的器件形变问题,提出了一种单温度发射率测量方法。分析了在用传统的双温度发射率测量方法对微电子器件进行红外检测时热胀冷缩对检测结果的影响。在温度变换过程中,器件的形变效应会严重影响温度测量结果。提出了一种针对微电子器件显微红外测试的单温度发射率测量方法。该方法只需将被测件保持在一个固定温度下即可对发射率进行测量。理论分析结果表明,该方法与双温度法在最终的测量结果上是等效的。单温度发射率测量方法可以有效避免微电子器件的形变影响,因而可保证温度测量结果的准确性和可靠性。

金刚石电子材料生长的研究进展

简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石膜的导电机理以及材料生长的新技术。重点介绍了采用包括微波等离子体化学汽相淀积（MPCVD）等方法制备金刚石膜、本征单晶生长、硼掺杂等技术。目前在直径为100~200 mm的硅衬底上,可以淀积均匀的超纳米结晶金刚石（UNCD）膜。此外,对金刚石电子学和光电子学的未来进行了展望。

热场发射电子枪在电子束光刻机中的应用研究

介绍了电子枪的分类与特点,重点介绍了热场发射电子枪的原理、结构、特点及在电子束光刻机中的应用。阐述了电子束光刻机束流与电子枪提取极电流之间关系,并分析了热场发射电子枪各个参数对提取极电流的影响。研究了热场发射电子枪的调校对电子束光刻工艺的影响,并通过实验得出束斑与束流的关系。最后通过调整电子枪参数,制备了不同的光刻图形,满足了不同的光刻工艺要求,验证了分析的结论。

纵断面电子显微术研究离子注入GaAs表面

本文用纵断面电子显微术研究了离子注入半绝缘GaAs注入层表面,发现注入层表面出现缺陷与包封材料、退火条件及方式有关,讨论了缺陷成因及不同包封材料对注入层和器件特性的影响。

THz波段便携冷噪声标准源研究

介绍了中国电科第十三研究所新研究的170~260 GHz便携式冷噪声标准源的工作原理、结构特点、性能验证和不确定度评定。该装置采用浸于液氮制冷的矩形波导体内的匹配尖劈负载,将噪声功率通过波导传输线直接传输到室温输出波导端口的方案。通过尖劈负载的仿真设计及可靠安装实现噪声源的低反射输出,采用抽真空方案实现噪声源的便携化,基于精确控温实现噪声源的准确定标。通过分析和试验表明:该标准源的输出驻波比小于1.2,输出噪声温度小于140 K,输出噪声温度不确定度小于7 K(k=2)。

PCM设备电流参数在片校准方法研究

针对PCM设备电流参数无法在探针端进行在片校准问题,提出了一种电流参数在片校准方法。利用半导体工艺中薄膜溅射法、离子注入法,研制在片取样电阻标准件,通过组建有温度控制的定标系统对标准件进行定标,测量结果可溯源至直流电阻参数国家最高基准。PCM设备对在片取样电阻标准件施加电压,并联标准电压表,通过加压测流的方法实现对电流参数1 nA~100 mA的在片校准,有效解决了PCM设备电流参数在片校准问题,保障了该设备电流参数在探针端的准确性。

Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展

作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。