高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。

流水线ADC增益误差及电容失配对线性度的影响

流水线ADC的系统性能会受到各种误差源的影响,建立精确的误差模型对于优化系统设计具有重要意义。根据流水线ADC系统线性度指标之间的基本关系,提出了一种改进的增益误差模型,同时导出了增益误差和电容失配与残差输出的关系。Matlab仿真表明,该模型较传统增益误差模型更好地约束了开环增益;在相同有效系统精度要求下,电容失配对INL、DNL、SFDR的影响较增益误差大。

补偿流水线A/D转换器级间增益误差的后台校正技术

在分析流水线A/D转换器中残差放大器电容匹配性和运放的有限增益引起的误差对信号传输影响的基础上,基于冗余位校正流水线A/D转换器结构,通过在信号通路中加入由伪随机码控制的校正信号测量上述误差的方法,在后台校正输出数字信号中的级间增益误差。通过Mat-lab对A/D转换器进行了系统级仿真。结果表明,12位A/D转换器系统的SFDR提高了31.8dB,SNDR提高了11.5 dB,INL减小了3.43 LSB,DNL减小了0.21 LSB。

基于三维石墨烯的可拉伸以及可穿戴的太赫兹吸波复合材料

本文介绍了一种基于三维石墨烯泡沫并结合聚二甲基硅氧烷(PDMS)的太赫兹吸波材料,表征了这种三维石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料的形貌,探究了这种复合材料对太赫兹波的吸收特性。在文章中,我们通过模板导向的化学沉积方法来制备三维石墨烯泡沫,将制备好的三维石墨烯泡沫浸入被乙酸乙酯稀释过的聚二甲基硅氧烷(PDMS)溶液中,然后把样品放入真空箱中抽取溶液中的空气,最后在80℃的加热台上固化一个小时从而形成三维石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料,这个过程中不需要使用发泡剂,流程十分简单。从外观上看,三维石墨烯仿佛"生在"在聚二甲基硅氧烷中。由于该复合材料对于太赫兹波有很弱的表面反射和巨大的内部吸收,因此在0.2THz至1.2THz的频率范围内,该复合材料对太赫兹波的吸收率高达90%,表明该复合材料对太赫兹波有很强的吸收特性。此外,该复合材料有良好的柔韧性,在实验中,在拉伸复合材料后,该材料依然具有良好的太赫兹吸收性能。当太赫兹波入射角依次为10度,20度,30度,40度时,太赫兹波从不同角度入射下,该材料对太赫兹波的透射率和反射率变化范围不大,透射率最高为6%。当太赫兹波入射角度为40度时,该材料对太赫兹波的反射率最高接近为10%,综合分析得出,当太赫兹波入射角度为10度,20度,30度,40度时,在0.2THz-1.2THz内,该材料对太赫兹波的吸收率最低为84%,表明无论太赫兹波束入射角怎样变化,该复合材料对太赫兹波有着极强的吸收性。由于聚二甲基硅氧烷(PDMS)有着良好的黏性,既可以将此复合材料粘附在衣物上面,在特定的电磁环境下,人体可以方便地粘附在衣物或皮肤上,避免太赫兹波对人体的影响,也可以方便地粘附在在某些电子器件表面,该复合材料吸收掉干扰该电子器件的太赫兹杂波,避免了太赫兹波对电子器件的干扰,从而在复杂的电磁环境下能更好地实现某些电子器件的功能。

低温沉积ITO薄膜划擦行为、微结构、电学和光学性能的研究（英文）

通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降。而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压。低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10^(-3)Ω·cm)和高可见光透过率薄膜(90%)。研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限。

高分子辅助沉积法(PAD)制备LaBaCo_2O_(5+δ)薄膜的研究

用高分子辅助沉积法在Si（001）基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5＋δ（LBCO）薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si（001）薄膜是（111）择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM照片可以看出,LBCO薄膜的晶粒大小并不均匀,其大的晶粒尺寸为1-2μm,小的晶粒尺寸为0.1-0.2μm;同时,可以明显观察到一些小的空隙,这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在LBCO薄膜的电阻（R）-温度（t）曲线测试中,电阻随温度的升高先急剧下降后缓慢下降,表明LBCO薄膜具有典型的半导体材料性质。LBCO薄膜在纯氧和空气中电阻的最低值分别为36Ω和382Ω,前者为后者的1/10,说明LBCO薄膜对氧气具有敏感性。

LaBaCo_2O_(5+δ)薄膜的电输运及氧敏性质研究

采用高分子辅助沉积法制备了Si基La BaCo2O5+δ(LBCO)薄膜,主要研究了Si基LBCO薄膜的电输运性质及氧敏性质。通过对LBCO薄膜的电输运性质研究,发现LaBaCo2O5+δ薄膜的激活能Ea为0.32 e V,远小于同类体材料PrBaCo2O5+δ激活能(Ea=0.67 e V),说明将材料薄膜化以后,有利于降低材料的激活能;此外,LBCO薄膜阻-温曲线满足小极化子热激化跳跃理论,证明该材料的导电机制是小极化子电子电导。氧敏性质研究发现,在较低的温度356℃下,当测试气体从氢气切换到氧气时,薄膜电阻从3×105Ω迅速下降到4.5×102Ω(ΔR≈3.0×105Ω),响应时间为4.2 s,说明在较低温度下,LBCO薄膜对氧气具有较高的敏感度。同时,发现LBCO薄膜材料导电能力并不与氧气的浓度成正比。