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AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制
1
作者
关兴国
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001年第2期21-21,共1页
80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的设计思想,使得半导体器件设计由“掺杂工程”走向“能带工程”,高...
80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的设计思想,使得半导体器件设计由“掺杂工程”走向“能带工程”,高级器件的制作越来越倚重于材料结构生长了。 汇能公司是中国节能投资总公司与信息产业部第十三研究所合资兴办的一家高科技公司。该公司于1998年投资从德国AIXTRON公司购买了一台AIXTRON-2400型MOCVD设备,用于生长高亮度发光二极管(LED)
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关键词
发光二极管
外延片
研制
半导体微结构材料
设计
生长工艺
下载PDF
职称材料
题名
AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制
1
作者
关兴国
机构
电子部十三研究所汇能公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001年第2期21-21,共1页
文摘
80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的设计思想,使得半导体器件设计由“掺杂工程”走向“能带工程”,高级器件的制作越来越倚重于材料结构生长了。 汇能公司是中国节能投资总公司与信息产业部第十三研究所合资兴办的一家高科技公司。该公司于1998年投资从德国AIXTRON公司购买了一台AIXTRON-2400型MOCVD设备,用于生长高亮度发光二极管(LED)
关键词
发光二极管
外延片
研制
半导体微结构材料
设计
生长工艺
分类号
TN310.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制
关兴国
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001
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