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C^3I/EW一体化结构是现代防御系统发展的必然趋势 被引量:2
1
作者 蒋庆全 戴成东 《现代防御技术》 1997年第5期1-9,共9页
从C3I系统现存的薄弱环节出发,概述了实现C3I/EW一体化结构的关键技术及有效途径,并阐述C3I系统之对抗,从而揭示具有EW功能的C3I系统即C3I/EW一体化结构是现代防御系统发展的必然趋势。
关键词 C^3I系统 电子战 一体化结构 防御系统
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平板显示技术与市场 被引量:4
2
作者 田志仁 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期40-43,共4页
阐述平板显示的最新状况与发展趋势。并对其目前和未来市场加以讨论。
关键词 液晶 平板显示器 市场
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柔性制造系统的现状及发展趋势 被引量:6
3
作者 蒋庆全 《机械制造》 北大核心 1998年第4期7-9,共3页
扼要介绍柔性制造系统的基本组成,分类。
关键词 柔性制造系统 柔性制造工厂 集成制造系统
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常温下LCD工作电压的优化设计 被引量:1
4
作者 刘忠安 《液晶与显示》 CAS CSCD 1996年第1期34-39,共6页
本文从扩大视角范围的角度,研究了工作电压的优比设计。
关键词 LCD 器件 视角范围 电光特性 工作电压 优化
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光柱显示技术 被引量:3
5
作者 彭国贤 《仪表技术》 1995年第4期35-39,共5页
介绍直流等离子体光柱显示、LED光柱显示和液晶光柱显示等的工作原理及其优点。
关键词 直流 光柱显示 等离子体显示 液晶显示
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一种数据库应用原型生成工具
6
作者 张翠侠 周明 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 1997年第10期7-9,共3页
本文介绍了作者在SUNSPARC工作站上开发“ORACLE数据库应用系统原型生成工具DAPT”的原理及功能实现。
关键词 数据库 ORACLE SQL*Forms 原型生成工具
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高真空化学气相外延炉的研制
7
作者 谢自力 陈桂章 +2 位作者 洛红 过海洲 严军 《真空》 CAS 北大核心 2000年第4期31-35,共5页
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验... 研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。 展开更多
关键词 锗硅异质结构 高真空化学气相色延炉 薄膜制备
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用于自由空间探测的冲激雷达研制综述 被引量:1
8
作者 蒋庆全 《航天电子对抗》 1997年第3期17-25,共9页
冲激雷达是超宽带(UWB)雷达的一个重要分支,目前已广泛应用于近距离探测,应用于远距离空间探测的冲激雷达属于一种反隐身和电子战功能颇强的新型雷达,目前尚未研制出来。主要综述具有反隐身等功能的新型冲激雷达的工作机理与概况、主要... 冲激雷达是超宽带(UWB)雷达的一个重要分支,目前已广泛应用于近距离探测,应用于远距离空间探测的冲激雷达属于一种反隐身和电子战功能颇强的新型雷达,目前尚未研制出来。主要综述具有反隐身等功能的新型冲激雷达的工作机理与概况、主要特点和用途、关键技术及其研究动向。 展开更多
关键词 雷达 ^+冲激雷达 ^+超宽带雷达 电子对抗 反隐身技术
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液晶显示技术进展
9
作者 田志仁 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期9-13,共5页
本文介绍液晶显示的最新进展与发展趋势。同时提出了我国液晶显示产业发展中应注意的几个问题。
关键词 液晶显示 发展 LCD 平板显示
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新一代输入装置浅析
10
作者 蒋庆全 《兵工自动化》 1997年第1期14-15,,19,,共3页
本文扼要介绍新一代输入装置,即触摸屏输入与组合式鼠标器,旨在对计算机控制方式进行新的探索。
关键词 组合式鼠标器 输入装置 人机接口 计算机
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液晶彩电发展趋势
11
作者 蒋庆全 《电视技术》 北大核心 1998年第3期43-47,共5页
液晶彩电发展趋势·综述·210014电子部南京电子工程研究所蒋庆全尽管液晶彩电(LCTV)的发展历史并不算长,但其发展速度却颇为令人瞩目,其增长率较普通视听产品高得多。目前,液晶彩电正处于大力开发与发展之中,... 液晶彩电发展趋势·综述·210014电子部南京电子工程研究所蒋庆全尽管液晶彩电(LCTV)的发展历史并不算长,但其发展速度却颇为令人瞩目,其增长率较普通视听产品高得多。目前,液晶彩电正处于大力开发与发展之中,种类繁多。现在,液晶彩电的生产厂家绝大多数... 展开更多
关键词 液晶彩电 LCTV 液晶电视
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采用负阻电路的大调频范围GaAsMMIC压控带通有源滤波器 被引量:1
12
作者 田彤 罗晋生 +3 位作者 张瑞智 李祖华 陈堂胜 林金庭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期107-109,共3页
采用负阻电路以及我们自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器该滤波器具有200MHk的3dB带宽,调频范围1.64GHz~1.0GHz、计约600MHz并具有足够的带外抑制比.全部偏置电路... 采用负阻电路以及我们自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器该滤波器具有200MHk的3dB带宽,调频范围1.64GHz~1.0GHz、计约600MHz并具有足够的带外抑制比.全部偏置电路均在片上,芯片共占面积1.6×1.8mm2. 展开更多
关键词 GaAs MMIC 压控 有源滤波器 负阻电器 砷化镓
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相控阵天线波瓣置零综合的相位加权闭环实数算法 被引量:3
13
作者 高铁 郭燕昌 方能航 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期6-10,共5页
本文提出了一种相控阵天线仅相应加权波瓣置零的新算法,此算法基于“单元零点向量法”和Gram-Schmidt正交化方法,它能有效地设置宽零点低凹口.另外,对由于相位量化而引起的凹口电平上升也进行了分析。
关键词 相控阵天线 相位加权 波瓣置零 自适应阵列
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新颖触摸屏输入技术
14
作者 蒋庆全 《电子工程师》 1997年第2期11-15,共5页
触摸屏输入是利用触摸显示屏幕来输入数据的一种新颖输入技术,其产品已广泛应用于计算机终端、公用电话机及家电等领域。本文介绍迄今世界上已出现的红外式、电阻式、电容式和表面声波式触摸屏输入技术及其产品,从而可看出触摸屏输入技... 触摸屏输入是利用触摸显示屏幕来输入数据的一种新颖输入技术,其产品已广泛应用于计算机终端、公用电话机及家电等领域。本文介绍迄今世界上已出现的红外式、电阻式、电容式和表面声波式触摸屏输入技术及其产品,从而可看出触摸屏输入技术日新月异的发展趋势。 展开更多
关键词 触摸屏输入技术 触摸显示器 红外式 电阻膜式
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等离了体显示器综述
15
作者 蒋庆全 《光电技术》 1997年第4期56-65,共10页
平板显示器第二次浪潮中唱主角的将是在大屏蔽等离子显示屏。本文综述其工作原理与分类,特点,应用领域,技术动向及发展前景。
关键词 平板显示 PDP 等离子体显示器
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液晶彩电发展趋势浅析
16
作者 蒋庆全 《电视工业(科技版)》 1996年第12期37-40,共4页
关键词 液晶彩电 彩电 发展趋势
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光柱式压力表的设计研究
17
作者 彭国贤 《传感器世界》 2000年第7期14-16,共3页
本文介绍光柱式压力表的原理和结构,专门叙述了驱动电路和调试方法。
关键词 光柱式压力表 驱动电路 调试
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多层、三维MMIC技术研究动向
18
作者 孙再吉 《世界电子元器件》 1998年第2期37-38,共2页
随着无线通信个人化、多媒体化的发展,对微波、毫米波电路设计的要求越来越高。这无疑要求MMIC自身的小型化设计。一方面要提高芯品产量的成本率,降低成本;另一方面旨在提高其工作性能和可靠性。三维MMIC是在这一背景下应运而生的。它... 随着无线通信个人化、多媒体化的发展,对微波、毫米波电路设计的要求越来越高。这无疑要求MMIC自身的小型化设计。一方面要提高芯品产量的成本率,降低成本;另一方面旨在提高其工作性能和可靠性。三维MMIC是在这一背景下应运而生的。它通过微细布线和积层电路结构可以实现电路的小型化,是一种符合MMIC小型化、高集成化。 展开更多
关键词 三维MMIC 微波集成电路 多层布线
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GaAs MMIC 压控带通有源滤波器的一个实现
19
作者 田彤 罗晋生 +2 位作者 李祖华 陈堂胜 林金庭 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期14-17,共4页
采用负阻电路以及由作者自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,应用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器.该滤波器具有200MHz的3dB带宽,其中心频率调频范围约600MHz,从1.0~1.6... 采用负阻电路以及由作者自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,应用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器.该滤波器具有200MHz的3dB带宽,其中心频率调频范围约600MHz,从1.0~1.64GHz,并具有足够的带外抑制比.全部偏置电路均在芯片上,芯片占用面积1.6mm×1.8mm. 展开更多
关键词 压控有源滤波器 负阻电路 平面变容管
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GaAs MMIC中平面Schottky Diode的C-V特性解析模型
20
作者 田彤 孙晓玮 +1 位作者 罗晋生 林金庭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期75-78,共4页
本文提出一种采用GaAsMESFET工艺制造的平面微波变容管C-V特性解析模型,该模型着眼于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺,充分考虑了由其产生的栅下沟道串联电阻及侧电容对平面SchattkydiodeC-V特性的影... 本文提出一种采用GaAsMESFET工艺制造的平面微波变容管C-V特性解析模型,该模型着眼于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺,充分考虑了由其产生的栅下沟道串联电阻及侧电容对平面SchattkydiodeC-V特性的影响,这些影响对平面变容管影响较显著而在已有的模型中是被忽略或未作详细讨论的.文中还给出了该模型的算例及与实验结果,已有的几种典型模型算例的比较.结果表明,本文模型中参数易确定,与实验亦附合得很好. 展开更多
关键词 微波变容管 C-V特性 砷化镓 MMIC
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