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高T_c薄膜DC-SQULDs的研制
被引量:
4
1
作者
郝凤珠
陈季文
+4 位作者
罗志良
马继勇
阎少林
霍玉华
薜寿清
《低温与超导》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期27-31,共5页
研制的 T(?)BaCaCuO 超导薄膜 DC—SQUID 在77K 温度下测量磁通噪声为9.4×10^(-5)Φ_0/(Hz)^(1/2),能量分辨率为1.1×10^(-28)J/Hz(10Hz)。器件为平面型,由两个微桥 Josephson 结和一个环构成,用光刻湿法化学腐蚀制成。器件的2...
研制的 T(?)BaCaCuO 超导薄膜 DC—SQUID 在77K 温度下测量磁通噪声为9.4×10^(-5)Φ_0/(Hz)^(1/2),能量分辨率为1.1×10^(-28)J/Hz(10Hz)。器件为平面型,由两个微桥 Josephson 结和一个环构成,用光刻湿法化学腐蚀制成。器件的2I_c 一般为100~400μA,桥区尺寸为2×2μm^2,环电感为180pH。器件对外加磁通周期响应的三角波幅度一般为2~20μV_(pp)。
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关键词
Tc薄膜
超导薄摸
DC-SQULDs
下载PDF
职称材料
太空生长半绝缘砷化镓单晶及其应用
2
作者
林兰英
张绵
+2 位作者
钟兴儒
山田正良
陈诺夫
《中国科学(E辑)》
CSCD
1999年第5期400-404,共5页
在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善 ,均匀性提高 .与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比 ,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比...
在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善 ,均匀性提高 .与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比 ,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善 .以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底 ,采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 .证明半绝缘砷化镓单晶的化学配比对相关器件的性能影响严重 .
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关键词
砷化镓
单晶
太空生长
微重力
集成电路
原文传递
题名
高T_c薄膜DC-SQULDs的研制
被引量:
4
1
作者
郝凤珠
陈季文
罗志良
马继勇
阎少林
霍玉华
薜寿清
机构
机械
电子部河北半导体研究所
南开大学
电子
系
中国计量科学
研究
院
出处
《低温与超导》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期27-31,共5页
文摘
研制的 T(?)BaCaCuO 超导薄膜 DC—SQUID 在77K 温度下测量磁通噪声为9.4×10^(-5)Φ_0/(Hz)^(1/2),能量分辨率为1.1×10^(-28)J/Hz(10Hz)。器件为平面型,由两个微桥 Josephson 结和一个环构成,用光刻湿法化学腐蚀制成。器件的2I_c 一般为100~400μA,桥区尺寸为2×2μm^2,环电感为180pH。器件对外加磁通周期响应的三角波幅度一般为2~20μV_(pp)。
关键词
Tc薄膜
超导薄摸
DC-SQULDs
分类号
TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
太空生长半绝缘砷化镓单晶及其应用
2
作者
林兰英
张绵
钟兴儒
山田正良
陈诺夫
机构
中国科学院
半导体研究所
电子部河北半导体研究所
DepartmentofElectronics&InformationScience
出处
《中国科学(E辑)》
CSCD
1999年第5期400-404,共5页
文摘
在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善 ,均匀性提高 .与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比 ,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善 .以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底 ,采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 .证明半绝缘砷化镓单晶的化学配比对相关器件的性能影响严重 .
关键词
砷化镓
单晶
太空生长
微重力
集成电路
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高T_c薄膜DC-SQULDs的研制
郝凤珠
陈季文
罗志良
马继勇
阎少林
霍玉华
薜寿清
《低温与超导》
CAS
CSCD
北大核心
1990
4
下载PDF
职称材料
2
太空生长半绝缘砷化镓单晶及其应用
林兰英
张绵
钟兴儒
山田正良
陈诺夫
《中国科学(E辑)》
CSCD
1999
0
原文传递
已选择
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参考文献
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