朝气蓬勃的电子部第五十四研究所遥控遥测专业部

54所的遥控遥测专业部起步于60年代初期,三十多年来为我国尖端和常规武器试验,航空航天电子装备的发展,以及国民经济建设做出了突出的贡献,获得国家多项奖励。现在遥控遥测专业部已形成了航天测控,无人驾驶飞机测控,数据传输与处理,专用通信网等4大技术分支。目前已发展成为一个有总体、终端、信道、数据通信4个研究室的大型专业部,全专业部共有工程技术人员180余人,其中研究员6人,高级工程师50余人,工程师60余人。

勇于开拓的电子部第54研究所侦察对抗测量专业部

侦察对抗测量专业部是电子部54所新创建的专业部,其技术实力发展很快,仅十年左右、在我国通信对抗、信息采集等电子战研究领域中占有重要的地位,具有很大影响。我专业部具有多种专业技术方向,拥有工程技术人员250多名,其中有70多名为高级研究人员,并有6名获得专家称号。十年中,为国家研制出很多重大系统工程项目。近几年内又获得国家级科技进步奖3项,部级科技进步奖6项,部级质量奖3项,专利7项。

从Y751─2高低温湿热试验箱的功能看电子部五所模拟环境工程公司产品的技术特征

就电子部五所模拟环境工程公司产品Ｙ７５１─２高低温湿热试验箱在作者单位调研、订货、验收、使用过程中对该试验箱及公司产品技术的了解，具体阐述分析产品的技术构成及其技术特征，对读者了解目前国内环境试验设备的研制生产水平有参考价值。

电子部八所举办大型图片展

最近,电子部八所举办了《改革开放二十年》大型图片展,展览分'改革开放二十年'、'八所在改革中前进'、'科技成果'等部分。在展览过程中,档案部门提供了详实的原始数字、精美的照片档案、精确的科技图表。此展展示了我国改革开放二十年取得的辉煌成就,再现了该所二十年科技创新与发展的历程,对职工进行了一次深刻的爱国主义和集体主义教育。

真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。

微波功率模块：下一代武器系统的关键电子器件

本文介绍了真空电子器件和固态器件组合而成的新型电子器件──微波功率模块（ＭＰＭ）。它具有真空电子器件的大功率、高效率和固态器件低噪声、小体积、轻重量的优点，成为下一代采用相控阵天线的雷达、电子战、通讯等武器系统的关键功率器件。ＭＰＭ使下一代武器系统建立在共同的功率器件上，可能实现规模生产，从而降低了造价。

化学镀在电子工业中的应用

化学镀作为一种功能精饰技术，特别是在电子工业中受到越来越广泛的关注。本文以大量的文献阐述了铜、镍、金、钯及其它化学镀在电子工业中的应用。

电子束在微束斑X射线源中运动轨迹的计算

轰击金属靶面的高能电子束束斑大小,是决定微束斑X射线源最终X射线束斑尺寸的关键因素之一.当LaB6晶体阴极发射电流为60μA时,采用5点不等距有限差分法(FDM)计算了整个仪器内旋转对称电子光学系统电场的分布,并利用Runge Kutta法从LaB6阴极发射端面开始追踪了电子束在整个系统内部的运动,经计算,聚焦在靶面上的电子束斑直径约为600～1000nm.

钯在电子产品中的重要地位

为满足电子产品的三防性能和电接触性能,钯镀层越来越受到人们的重视和亲睬。在微电子领域,钯良好的可焊性和低接触电阻特性倍受人们的赞赏;而在抗蚀方面,它的防银层变色也得到了众口一词的赞誉。在化学反应中钯还是良好的催化剂。

低压运用电子枪的计算及其在SEM中的应用

本文叙述了用于SEM的低压运用电子枪的设计计算方法及结果。计算中对采用点源的阴极区,利用球座标系统进行处理,从而提高了计算精度。计算表明在一定的几何尺寸范围内,通过调整调制极电压,均可得到较小的交叉斑尺寸。将计算结果直接应用到国产SEM中,采用LaB_6点状阴极做发射源,在加速电压为1kV时,分辨率优于150nm;为2kV时,优于80nm;为5kV时,优于20nm。实验证明计算方法是可靠的,具有实际的指导意义。

迅速发展的三维电子封装技术

引言３Ｄ是国际上近几年正在迅速发展着的电子封装技术，又称为立体微电子封装技术。各类ＳＭＤ（表面贴装器件）的日益微小型化，引线的细线及窄间距化，实质是可实现ｘ，ｙ平面（２Ｄ）上微电子组装的高密度化；而３Ｄ则是在２Ｄ的基础上进一步向ｚ方面，即向空间发展的...

新型微电子封装技术—BGA

概括介绍了新型微电子封装技术—ＢＧＡ的基本概念、特点、封装类型、最新进展、生产应用等。

氮化镓微波电子学的进展

简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长、微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。

真空微电子平板显示器(FED)进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（FieldEmissionDisplay）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。

电子波器件

本文在简要介绍了电子波的概念之后,讨论了利用电子波原理实现高速半导体器件的可能性和条件。作为一个例子,介绍了电子波衍射晶体管的原理、结构、制造和性能。

第三代电子器件——真空FET的现状

概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述了平面结构的薄膜真空FET的现状以及用GaAs InP等单晶半绝缘材料取代SiO_2.作阴-栅介质层,以此降低器件的寄生电容,提高器件的输入阻抗,这就显著提高了器件的工作频率.最后,论述了真空微电子器件作为平板显示器的应用概况.现已研制出用于Laptop计算机、导航终端及便携式电视用的<4″的平板显示器.大面积彩色平板显示屏正在研制中.

电子设备隔振系统和隔振器模块化设计浅议

本文对电子设备隔振缓冲系统、隔振器模块化设计基本要求及工程对策进行了初步讨论。提出了隔振系统安装标准化、动态特性规范化、隔振器外形尺寸系列化、动态特性规范化等基本设计思路。并且，以海军标HJB68—92中规定的背架隔振系统及其隔振器选型为例，说明了上述思路的工程实施方案。

全光通信网络中光开关技术比较

光开关是实现全光通信网络光交换的关键器件,对于光开关技术的研究已成为全光通信网络研究的焦点。首先对光开关的定义及应用进行描述,接着提出应用非常广泛机械光开关、MEMS光开关、磁光开关等3种光开关。分析了它们的结构形式和性能特点,并进行了对比,指出不同类型光开关的优点和不足之处。

21世纪初微电子技术发展展望

综述了微电子领域中纳米技术、ＭＥＭＳ、Ｓｉ和ＧａＡｓ集成电路、微波／毫米波器件及宽禁带半导体技术目前的发展状况。在此基础上，对其在２１世纪初期的发展做了展望。