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热壁LPCVD多晶硅薄膜在硅CCD多路传输器研制中的应用
1
作者
程开富
《四川真空》
1997年第1期23-28,共6页
本文主要介绍多晶硅薄膜的淀积方法。对热壁LPCVD多晶硅薄膜的表面形貌以及掺磷后的薄膜电阻进行分析。其次简要叙述了多晶硅薄膜在硅CCD多路传输器研制中的应用。
关键词
多晶硅薄膜
热壁LPCVD
硅CCD
多路传输器
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职称材料
混合式PtSi—SBIRFPA的进展
2
作者
程开富
《四川真空》
1997年第1期29-33,共5页
着重介绍混合式硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列(HPtSi-SBIRFPA)的典型结构和现状。
关键词
硅化铂
肖特基势垒
传感器
红外焦平面阵列
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职称材料
硒化铅红外探测器的性能参数分析
3
作者
程开富
《四川真空》
1997年第2期16-24,15,共10页
本文主要介绍硒化铅红外探测器在不同工作温度下的性能数据,并且简要叙述了该探测器的性能参数的测试条件。
关键词
硒化铅
红外探测器
性能参数
工作温度
下载PDF
职称材料
题名
热壁LPCVD多晶硅薄膜在硅CCD多路传输器研制中的应用
1
作者
程开富
机构
电子部重庆光电技术研究所
出处
《四川真空》
1997年第1期23-28,共6页
文摘
本文主要介绍多晶硅薄膜的淀积方法。对热壁LPCVD多晶硅薄膜的表面形貌以及掺磷后的薄膜电阻进行分析。其次简要叙述了多晶硅薄膜在硅CCD多路传输器研制中的应用。
关键词
多晶硅薄膜
热壁LPCVD
硅CCD
多路传输器
分类号
TN37 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
混合式PtSi—SBIRFPA的进展
2
作者
程开富
机构
电子部重庆光电技术研究所
出处
《四川真空》
1997年第1期29-33,共5页
文摘
着重介绍混合式硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列(HPtSi-SBIRFPA)的典型结构和现状。
关键词
硅化铂
肖特基势垒
传感器
红外焦平面阵列
分类号
TN210.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硒化铅红外探测器的性能参数分析
3
作者
程开富
机构
电子部重庆光电技术研究所
出处
《四川真空》
1997年第2期16-24,15,共10页
文摘
本文主要介绍硒化铅红外探测器在不同工作温度下的性能数据,并且简要叙述了该探测器的性能参数的测试条件。
关键词
硒化铅
红外探测器
性能参数
工作温度
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
热壁LPCVD多晶硅薄膜在硅CCD多路传输器研制中的应用
程开富
《四川真空》
1997
0
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职称材料
2
混合式PtSi—SBIRFPA的进展
程开富
《四川真空》
1997
0
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职称材料
3
硒化铅红外探测器的性能参数分析
程开富
《四川真空》
1997
0
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职称材料
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