中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感.

氦原子(e,2e)反应中库仑波描述入射电子的理论研究

在前期工作的基础上 ,当初通道使用具有有效电荷库仑波时 ,完成了电子入射离化氦原子三重微分截面的理论推导。计算表明 :初通道库仑场对较低入射能量情况下 ,(e ,2e)

低能氢原子(e,2e)反应中非一阶效应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型对入射能为27.2eV时,共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算,并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较,对修正后的BBK模型中非一阶效应进行了分析和探讨.

中高能电子电离He原子的二重微分截面

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 eV的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.

入射电子被中性原子散射过程中的库仑波描述

在前期工作的基础上,给出了有效电荷Zeff的解析形式.研究发现:有效电荷Zeff与入射电子的能量和散射角有关.我们早期工作的一个重要缺陷是:对于初、末通道,分别使用了解析的平面波和库仑波,而现有的波函数与早期工作之间的一个重要差别在于:在初通道,现有的波函数包含有入射电子与中性原子之间的短程相互作用效应,而早期文章则没有这种效应.这里使用的末态波函数与以前是相同的.当入射电子处在有效电荷库仑场的情形下,我们计算了电子入射离化氦原子的三重微分截面,并发现现有的理论计算与实验结果很好的一致.

入射电子被中性原子散射过程中的库仑波描述

在前期工作的基础上，培出了有效电荷Zeff的解析形式．研究发现：有效电荷Zeff与入射电子的能量和散射角有关．当入射电子处在有效电荷库仑场的情形下，我们计算了电子入射高化氯原子的三重微分截面，并发现现有的理论计算与实验结果很好的一致．

BBK模型中非一阶效应和交换效应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型对低能、共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算,并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较,对修正后的BBK模型中非一阶效应和交换效应进行了分析和探讨.发现该模型中末态三体间的屏蔽包含了极强的非一阶效应信息.

大能量损失几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究

这篇文章,通过考虑末通道He^+中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氯原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三重微分截面所产生的影响.

大能量损失小动量转移几何条件下氦原子(e,2e)反应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型在共面、大的能量损失和近于最小的动量转移这一特殊几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算和研究,对截面的结构进行了分析,并把计算结果与最新实验测量结果进行比较发现:BBK模型和修正后的BBK模型均给出了与实验结果较符合的binary峰和recoil峰的比率以及双峰的角分布.

氢原子(e,2e)反应中BBK模型非一阶效应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型对入射能分别为54.4eV,150eV,250eV时共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算,并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较,对修正后的BBK模型中非一阶效应进行了分析和探讨.发现该模型中的末态三体间的屏蔽包含了极强的非一阶效应的信息.

非共面双对称几何条件下电子离化He的(e，2e)反应

运用修正后的BBK理论计算了入射能为27.6 eV,29.6 eV和34.6 eV,非共面双对称几何条件下,电子入射离化氦原子的三重微分截面,计算结果与实验结果进行比较发现两者符合的较好.验证了低入射能时修正后的BBK模型同样适用于非共面双对称条件下的(e,2e)过程.从碰撞的微观机理上分析了影响出射电子角分布的原因.

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS),通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3,28.3,30.3,32.5,34.3,36.5和40.7eV时,低能电子入射电离He原子的DDCS;研究表明:DS3C的计算结果,除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外,均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外,对直接和交换效应也进行了研究,给出了交换效应对截面的贡献.

大能量损失几何条件下末态屏蔽效应和交换效应的理论研究

用BBK(Brauner,Briggs,Klar)模型和修正后的BBK模型在大的能量损失几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算和研究,并把计算结果与Catoire等的实验测量结果以及Stevenson等的最新实验测量结果进行了比较,对作者早期文章的理论推论进行了验证,并对交换效应作了系统的研究.

非共面索末菲参量对三重微分截面的影响

考虑末通道He+中剩余电子的屏蔽效应之后,在非共面几何条件下利用3种不同的修正方案,详细地比较并研究了不同索末菲参量在非共面双对称几何条件下对He原子(e,2e)反应中三重微分截面所产生的影响.讨论了产生这种影响的物理本质.