具有多层带隙结构的半导体pin结光谱探测性能的研究

深入研究了宽谱入射光的吸收、光生载流子产生,以及光生载流子的输运和复合的物理过程,提出在pin半导体结中设置若干不同能量带隙的半导体层。通过这些不同能量带隙半导体层调节不同波长入射光的吸收区域,并利用偏置电压控制不同区域光生载流子的传输和复合,进而改变探测器的光谱响应特性。根据研究结果,如果设置4层带隙梯度分布的本征层,不同偏置电压下探测器光谱响应曲线的Pearson相关系数从0.99下降到0.68,为后续的探测器光谱重构提供了有效的宽谱探测数据。