用于微电子封装的化学镀纯镍工艺

研究了一种能获得厚的纯镍化学镀溶液,讨论了溶液中各种化学成分、操作温度、稳定剂对沉积速度的影响,在此基础上确定了最佳配方及操作程序.对电子元件引线镀镍、镀金后的拉力进行了测试,对镀层硬度、方阻进行了测定.此方法适用于电子封装中W、Mo-Mn金属化及Cu、Ni、可伐等金属上的镀覆.

台湾半导体工业现状（续）

台湾半导体工业现状（续）石家庄电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１９９４年台湾产值突破百亿，增长率达到２３１％。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到较大的回报，所以许多半导体厂家纷纷...

微波微电子技术在雷达中的应用

现代电子战技术的发展对未来雷达的共同要求就是多目标、多功能、抗干扰、快速反应、灵活多变和全自动适应能力。相控阵技术和固态化将是雷达技术发展中的共性的研究课题，而这项目标的实现都与微电子技术的发展密切相关。其中微波微电子技术在雷达中的应用具有特殊的重要性。本文书着重阐述和分析目前微波微电子在雷达应用中的作用和发展趋势，同时分析了我国在这方面的研究现状和今后设想，提出了我国微波微电子在雷达中应用的发展目标和所采取的步骤。

伪码扩频调制的连续波雷达在电子战环境中的效能

简述伪码扩频连续波雷达的特点,分析伪码扩频体制连续波雷达在现代电子战中的抗干扰与抗截获性能,展望在未来战场的应用前景.

GaAs高速动态分频器在片测试研究

本文研制出多触头微波探针，建立了微波探针在片检测系统．针对ＧａＡｓ高速集成电路──动态分频器电路芯片进行了在片测试和筛选．

直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响

以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３～１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能，能够满足自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的工艺要求。

抛物环面天线交叉极化特性的研究

本文利用物理光学法导出了抛物环面天线的交叉极化辐射场公式，并用其对该天线的交叉极化特性进行了深入的研究，得出了一些有意义的结论和数值结果，为这种天线实现低交叉极化性能奠定了理论基础。

GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光

研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为，这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。

频谱仪测量低电平的精度研究

本文利用正弦信号加高斯噪声的包络概率密度函数，导出了频谱仪测量低电平的修正因子计算公式．给出了数值修正曲线，并用实验结果验证了理论计算的正确性．

微波功率器件及其电路

简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。

高密度封装的建模分析

本文对高密度封装中各结构成分的模型建立及分析作了讨论，根据这些方法编制了相应的程序。应用所编程序对两个封装实例提取出其等效电路网络。最后用ｓｐｉｃｅ程序进行了模拟分析。

GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。

国军标器件3DG135的可靠性研究

较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。

遥控遥测对抗

本文首先介绍了遥控遥测系统的基本概念与组成，进而阐明了破坏其正常工作所能达到的军事目的。然后通过一个对抗实例，介绍了遥控遥测对抗系统的组成和工作原理。最后针对遥控遥测系统发展趋势展望了遥控遥测对抗系统发展趋势。

中国半导体产业现状

从生产动向、生产预测、市场动向、器件和工艺技术、海外投资和面临的问题等方面，介绍了中国半导体产业的现状。

360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究

本文论证了用电阻补偿法平衡 360°模拟移相器插入损耗波动的正确性 ,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数 ,籍 CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量 ,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制作的模拟移相器在 1.3～ 2 .1GHz范围内可获得 360°连续可变相移 ,最大调相电压 18V,中心频率线性度优于± 2 .5% ,插入损耗波动小于 3d B。

声音广播的必由之路──数字声音广播

本文介绍声音广播的一种新形式──数字声音广播，以及世界各国在研制数字声音广播和应用领域的发展状况；根据国外的情况，对我国的数字声音广播发展提出几种可能途径；并建议通过进一步的软件、硬件试验，确定我国的数字声音广播体制。

半导体科学技术的发展预测和对策

半导体科学技术的发展预测和对策石家庄电子工业部第１３研究所（石家庄０５００５１）金圣东在今后一段时期，半导体科学技术的发展仍会突飞猛进，产品的更新换代依然日新月异，市场的竞争将更加激烈，向应用领域的渗透无所不及，其在产业排序中将占居首位。如不了解空前...

光通信装置的安装技术

本文以混合集成技术为中心，介绍了光通信装置安装技术的现状和动向。作为一个例子，介绍了光信息传输，总线的构成与安装。

少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ＿（０１）（０．２９８），Ｅ＿（０２）（０．３４１），Ｅ＿（０３）（０．５５５）和Ｅ＿（０４）（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇＿（０３）（０．５４）和Ｈ″＿（０３）（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。