期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
SOI基级联双微环滤波器研究
被引量:
1
1
作者
顾晓文
牛斌
郁鑫鑫
《光电子技术》
CAS
2017年第2期104-107,111,共5页
研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。...
研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。通过对微环谐振器进行热调谐,在0~4V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性。
展开更多
关键词
绝缘衬底上硅
微环谐振器
光栅耦合
可调谐
下载PDF
职称材料
题名
SOI基级联双微环滤波器研究
被引量:
1
1
作者
顾晓文
牛斌
郁鑫鑫
机构
中国电子
科技
集团公司第五十五研究所
砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室
出处
《光电子技术》
CAS
2017年第2期104-107,111,共5页
文摘
研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。通过对微环谐振器进行热调谐,在0~4V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性。
关键词
绝缘衬底上硅
微环谐振器
光栅耦合
可调谐
Keywords
silicon on insulator(SOI)
microring resonator
grating coupler
tunability
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI基级联双微环滤波器研究
顾晓文
牛斌
郁鑫鑫
《光电子技术》
CAS
2017
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部