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SOI基级联双微环滤波器研究 被引量:1
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作者 顾晓文 牛斌 郁鑫鑫 《光电子技术》 CAS 2017年第2期104-107,111,共5页
研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。... 研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。通过对微环谐振器进行热调谐,在0~4V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性。 展开更多
关键词 绝缘衬底上硅 微环谐振器 光栅耦合 可调谐
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