采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,SEM等测试手段分析了实验结果。实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 m in薄膜仍为非晶结构(a-S i),在450℃下退火2...采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,SEM等测试手段分析了实验结果。实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 m in薄膜仍为非晶结构(a-S i),在450℃下退火20 m in后非晶硅开始晶化且随着温度的升高,且晶化程度加强。展开更多
文摘采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,SEM等测试手段分析了实验结果。实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 m in薄膜仍为非晶结构(a-S i),在450℃下退火20 m in后非晶硅开始晶化且随着温度的升高,且晶化程度加强。