MATLAB在超晶格纵向输运模拟计算中的应用

利用MATLAB强大的科学运算能力与高质量的图形可视化功能模拟超计算晶格纵向输运问题 ,结果与实验数据吻合 。

二氧化钛基固体超强酸的结构及其光催化氧化性能

采用 溶 胶凝 胶 法 制 备 了 多 孔 性 、大 比 表 面 积 的 Ｓ Ｏ２ －４ ／ Ｔｉ Ｏ２ 固 体 超 强 酸 催 化 剂， 运 用 Ｘ Ｒ Ｄ ， Ｂ Ｅ Ｔ 比表面 积测定 ， Ｘ Ｐ Ｓ 和 Ｕ Ｖ Ｖｉｓ 反 射光 谱等 技 术对 该 催化 剂 的结 构、表 面状 态 以 及半导体特 性进行了 表征，并 通过 Ｃ Ｈ３ Ｂｒ ， Ｃ６ Ｈ６ 和 Ｃ２ Ｈ４ 等典型有 机物的 气相光催 化氧 化反 应，考 察了 Ｓ Ｏ２ －４ ／ Ｔｉ Ｏ２ 催化剂 的光 催 化 反 应 性 能． 结 果 表 明， Ｓ Ｏ２ －４ ／ Ｔｉ Ｏ２ 催 化 剂 具 有 较 高 的 结 构 稳 定 性， Ｔｉ Ｏ２ 的超强 酸化有效 地抑制 了晶相转 变、晶粒 度增加和 比表 面积 下降． 与 Ｔｉ Ｏ２ 相 比， Ｓ Ｏ２ －４ ／ Ｔｉ Ｏ２的吸收 边蓝移 及禁带宽 度增加， 产生了较 大的氧 化还原势 ，导致光 催化效率 提高．

阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究

在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72^-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。

提高四边形电极结构二维PSD线性度的研究

在对单表面分流四边形电极结构二维 PSD的非线性及失真进行理论分析的基础上 [1 ] ,从理论上计算得到了这种结构 PSD的位置修正因子 ,并提出了一种对这种结构 PSD的位置非线性进行修正的方法。初步实验取得了非常满意的结果 :经过修正后 ,在较大尺寸 (13mm× 13mm)器件上实现了 6 0 %光敏面范围内的位置非线性均方根误差 0 .15 % ,位置检测均方根误差从原来的±10 10μm减小到± 2 0μm。最大误差从± 15 0 0μm下降到± 5 0μm。由于进行了归一化处理 ,该方法适用于这种结构不同尺寸的 PSD,特别具有实用意义。

氮化硅介质薄膜内应力的实验研究

研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力 ,通过改变薄膜沉积时的工艺参数 ,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上 ,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。

一维PSD的光电性能解析研究

位置敏感探测器（ＰＳＤ）是一种基于横向光电效应的光敏器件，本文从描述横向光电效应的Ｌｕｃｏｖｓｋｙ方程出发，分析了几种不同情况下一维ＰＳＤ输出信号的解析解，讨论了一维ＰＳＤ的响应特性、线性条件及位置公式。

溶胶-凝胶法制备Sb掺杂的α-Fe_2O_3纳米晶过程的结构研究

以FeCl3·6H2O为源物质，用溶胶－凝胶法制备了Sb掺杂的α-Fe2O3纳米晶粉末，并用X射线衍射、穆斯堡尔谱仪、差热分析和透射电镜对系统的相转变和显微结构进行了研究．干凝胶为Fe（OH）3非晶相，经一定温度热处理晶化为α-Fe2O3相．体系中掺杂适量的Sb后，Sb分布在非晶颗粒的表面，不影响非晶相的结构，但显著提高了晶化温度，阻缓了α-Fe2O3晶粒的生长，有利于获得纳米晶；对其机理进行了讨论．

热蒸发法制备SnS薄膜及其表征

用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层.

梳状型高线性度一维位敏检测器

介绍了一种梳状型一维位敏检测器 ( PSD)的结构 ,对其工作原理进行了分析 .比较测试了这种梳状结构 ( 1mm× 12 mm) PSD与普通块状型结构 ( 1mm× 3 mm) PSD的线性度 ,实验表明 :梳状结构的 PSD具有极高的线性度 (均方根非线性为 0 .17% F.S)和较小的边缘失真 .对影响一维 PSD线性度的因素进行了分析 ,并对结果进行了讨论 .

通过Raman相互作用隐形传送未知多原子纠缠态(英文)

基于多粒子纠缠态在证明量子非定域性和量子信息处理方面的重要应用,提出一种方案隐形传送未知原子纠缠态.方案基于Λ型三能级原子与单模腔场的简并Raman相互作用.首先让n个原子相继通过一个相干腔场来制备量子通道.然后发送者让携带未知纠缠态的另n个原子相继通过相干腔场并通过对原子与腔场的探测作联合测量.当|α| 1时,可以用探测正交态的方法探测腔场.最后接收者根据由经典通道得到的联合测量结果重构初始态.方案的特点是用一个相干态与多个原子的纠缠态作为量子通道,简单易行.该方案有望在证明量子非定域性和量子信息过程中有重要的应用价值.

基于NEMS技术的硅基纳机电探针阵列器件研究

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究。并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁—针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随后,进行器件电热特性及其敏感特性测试,测试结果与模拟结果相吻合;借助于原子力学显微镜在聚合物有机薄膜上实现了数据写入,优化写入条件后,数据记录面密度达31.6 GB/in2。

通过Raman相互作用制备三个腔场的W型纠缠相干态(英文)

通过对比分立变量量子信息过程和连续变量量子信息过程的差别,利用相干态比较容易获得的这个特点,提出一种方案制备三个腔场的W型纠缠相干态.方案基于Λ型三能级原子与单模腔场的简并Raman相互作用.三个相同的腔初始分别处于相干态,三个相同的原子初始处于W型纠缠态,通过三个原子分别与三个腔的Raman相互作用、选择适当的相互作用时间并探测作用后的三个原子,三个腔场坍缩为W型纠缠相干态.在原子与腔的相互作用过程中原子不处于高能级,可以忽略原子的自发辐射,系统的相干性能够得到较好的维持.基于当前的腔量子电动力学技术,相信方案能在实验上实现.该方案制备的三个腔场W型纠缠相干态有望在连续变量量子信息过程中有重要的应用价值.文中将方案推广到制备n(n〉3)个腔场的W型纠缠相干态.

远程制备双原子纠缠态(英文)

提出一种远程制备双原子纠缠态的方案,该方案基于两个原子与单模腔场的同时非共振相互作用.由于双粒子纠缠态比三粒子纠缠态容易制备,方案用两对双原子纠缠态作为量子通道.Alice拥有的两个相同原子同时与一单模腔场非共振相互作用.Alice已知她要制备的纠缠态,她选择适当的相互作用时间、测量她所拥有的两个原子并通过经典通道通知Bob.Bob引入一个相同的辅助原子和一个单模腔场来实现方案.方案对腔场状态和腔损耗不敏感,基于当前的腔QED技术,方案能在实验上实现.该方案有望在量子信息过程中有重要的应用价值.

光电薄膜SnS的制备及其性能

在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O2-3=1/5和电流密度J=3.0mA/cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,发现其颗粒较均匀,粒径大小在200～800nm之间.用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV.用四探针法测得其导电类型为p型,电阻率为7.5Ω·cm.

基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器

综述了基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器（PSD）的发展、工作原理及应用，展望了PSD的研究动态和发展前景。

Al、Au溅射薄膜的剥离技术研究

本文采用氯苯浸泡法对(0.2～2.0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2.0μm厚的Al和Au溅射薄膜上剥离出8.0 μm的缝隙.

小功率LED光源封装光学结构的Monte Carlo模拟及实验分析

采用 Monte Carlo方法对不同光学封装结构的 L ED进行模拟 ,建立了小功率 L ED的仿真模型 ,应用空间二次曲面方程描述 L ED的封装结构 ,对其光强分布进行模拟和统计 .通过测量实际样品 ,并与模拟结果进行比较和分析 ,表明计算机模拟值与实验测量值比较吻合 .

指数型发散梯度折射率纤维透镜的成像公式

用二次函数近似指数型折射率分布,导出了指数型发散梯度折射率纤维透镜的近似成像公式,与精确解比较,误差很小.

非线性弱导椭圆梯度折射率光纤的传播常数

用变分法导出非线性弱导椭圆梯度折射率光纤的传播常数 。

非线性梯度折射率光纤高阶高斯光束的传播常数

用变分法导出了克尔非线性梯度折射率光纤高阶高斯光束的传播常数。