一个对温度不敏感的高增益运算放大器设计

功率放大器是大功率器件,其自身会消耗大部分的功耗,并导致功率放大器芯片的温度在一个很大的范围内变化,因此功率放大器的控制电路需要对环境温度的变化不敏感。针对这一要求,设计出一个对温度不敏感的全差分CMOS运算放大器,该运算放大器采用TSMC 0.18μm工艺,选用折叠式共源共栅、宽摆幅偏置电路结构。在负载电容为10 pF条件下,最大直流增益达到115 dBm,相位裕度为70°;在整个温度范围内(-40^+125℃)运算放大器的增益变化仅为1 dBm,相位裕度仅变化5°,满足设计要求。

超低中频CMOS下混频器的设计

低中频架构由于其镜像抑制能力强，易于集成等优点而被广泛应用于接收机的设计中。混频器作为接收机的重要模块之一，它的主要作用是完成频率转换，其性能对接收机有很大的影响。设计了一个工作于GSM850频带的超低中频CMOS混频器。为了提高转换增益和降低噪声。输入级加入了分流单元。在输出级应用共模反馈稳定输出电平。混频器工作的频带为869～894MHz，中频输出为100kHz。仿真结果显示增益为17dB，三阶交调点为9．6dB，噪声系数为17．5dB。

一个高性能带隙基准电压源的设计

设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3ppm／℃，在电源电压2．7～3．6V范围内输出仅变化18μV左右。