图形化蓝宝石衬底干法刻蚀工艺研究

为了缩短刻蚀时间以及提高发光二极管(LEDs)的发光性能,针对添加刻蚀辅助气体三氟甲烷(CHF_(3))的干法刻蚀工艺进行了研究。采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术并通过正交试验研究了偏压功率、CHF_(3)流量、自动压力控制蝶阀开合度(APC)对刻蚀速率和选择比的影响。试验结果表明:当偏压功率、CHF_(3)流量和APC分别为350W、15 sccm和55%时,制程工艺有着更大的刻蚀选择比和蓝宝石刻蚀速率。使用最佳工艺参数制备出了大尺寸、高占空比、小弧度图形化蓝宝石衬底(PSS),与常规PSS相比,优化后的工艺参数制得的PSS高度增加了5.6%、占空比提高了4.6%。

SiO_(2)图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响

为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO_(2)薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO_(2)图形化蓝宝石衬底(SiO_(2)patterned sapphire substrate,SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件。通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能,重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响。实验及模拟仿真结果表明,与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate,CPSS)相比,SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低,晶体质量较高,SPSS-LED的光提取效率提高26%、光输出功率和亮度均提高约5%。

图案化蓝宝石衬底的制备方法及关键技术分析

图案化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,PSS)是近几年来发展起来的一种用于提高LED出光率的新技术。本文就图案化蓝宝石衬底提高GaN基LED出光率的作用原理、表面微结构(几何形状及尺寸)对LED发光效率的影响以及图案化衬底制备的关键技术进行了分析,包括掩膜的制备和图形的转移技术,以及蓝宝石图案化衬底制备的两种主要方法:干法刻蚀和湿法腐蚀,并比较了这两种制备方法的优缺点,最后指出纳米级图案化蓝宝石衬底是未来的重点发展方向。

工业制造业成本核算问题及解决对策探析

《新会计准则》的颁布和广泛实施对企业成本核算工作产生了一定的积极影响,使具体工作成效得到了明显的提高,已经趋于国际先进水平。但是从工业制造业领域进行分析,成本核算工作的开展还存在一定的问题,严重限制了成本核算效率的提高。文章将工业制造业成本核算问题作为研究对象,针对问题提出了相应的解决策略。

财务信息化对提升财务管控能力的影响分析

信息时代下,企业财务管理逐渐向信息化方向转变,要求企业加强信息化建设,从而实现财务信息化,与传统管理模式相比,财务管理信息化模式能够提升财务管控的效率和质量,有利于企业财务管控能力的提升。为了使财务信息化能够有效、全面的发挥其积极作用,本文首先对财务信息化的优势进行分析;其次,分析财务信息化对财务管控能力提升产生的影响;最后,制定财务信息化建设的措施,从而通过建设措施的实施促进其作用的发挥,使企业对财务的管控能力得到提升,并推动企业发展。