制冷器件晶粒相邻面准共焦成像检测的光学装置

提出了一种半导体制冷器件晶粒相邻面同时准共焦成像检测的光学装置。选择晶粒天面成像光路中直角反射转像棱镜到玻璃载物转盘之间的距离调节来实现双面准共焦成像。设计了晶粒相邻面缺陷同时准共焦成像检测的光学系统,完成了晶粒相邻面缺陷同时准共焦成像检测的实验验证。结果表明,该检测装置可以实现晶粒相邻面缺陷同时成像检测的功能,满足晶粒相邻面缺陷成像检测的性能要求。具有提高检测速度、简化结构且提高系统可靠性等优点,可在晶粒缺陷智能检测筛选系统中获得应用。

基于偏振分像的制冷器件晶粒双面等光程共焦成像缺陷检测装置

针对待测晶粒大的情况,为解决晶粒双面检测时双面之间产生光程差导致的的成像清晰度问题,提出了一种基于偏振分光成像法的半导体制冷器件晶粒相邻双面同时成像缺陷检测的装置。利用偏振分光器与直角转像棱镜对采用偏振分束器与偏振相机的晶粒天面和侧面同时等光程共焦成像检测装置进行了光学设计,完成了晶粒相邻双面同时等光程偏振成像缺陷检测的实验验证。结果表明,该偏振分光成像检测技术可以实现晶粒相邻面的同时缺陷检测,并能很好地满足相邻面等光程成像缺陷检测的性能要求。当晶粒相邻面等光程共焦时,检测分辨率可达到110 lp/mm以上,而当晶粒相邻面离焦(准共焦)仅±0.20 mm时,分辨率则降至45 lp/mm以下。本检测装置具有双面成像清晰度好、成像光路共焦调整方便、检测装置结构简单可靠,以及提高的缺陷检测性能等优点。

曲面光学元件表面微缺陷透射式偏振检测

国内外近些年来,对于光学元件表面缺陷的检测技术越来越重视。由于光学元件表面质量的好坏会直接影响到光学系统的性能。文章主要针对曲面光学元件中球面和柱面光学元件表面微缺陷的检测问题,提出了一种基于光偏振特性的检测方法。利用光学元件表面缺陷与无缺陷区域之间透射光偏振态的差异,提高整幅图像中缺陷的对比度。首先基于光的偏振理论,利用偏振片获得偏振照明光,并采用共焦照明的方式获得同时对焦的曲面光学元件缺陷图像。其后,利用计算机对缺陷图像进行处理。结果表明采用光的偏振特性对曲面光学元件表面微缺陷的检测,能够获得高对比度、高分辨率的缺陷特征。此方法很好的提高了曲面光学元件表面微缺陷的检测准确度和检测效率,结果表明缺陷的检测准确率达到了95%。

采用微透镜阵列的防伪技术研究

本文介绍了微透镜阵列防伪技术的莫尔成像、成像景深与清晰度原理,简要叙述了微透镜阵列防伪薄膜目前较为流行的几种制备方法的发展现状,包括丝网印刷法、喷墨打印法、纳米压印法以及一些新型组合制备方法。并介绍了微透镜阵列防伪技术在实际防伪领域中的一些应用,以及对微透镜阵列防伪技术今后的发展做出了展望。

基于平行平板分像的半导体晶粒成像检测技术研究

文中提出一种基于平行平板分像的半导体制冷器件晶粒相邻面同时等光程成像检测的新方法。设计并搭建了基于平行平板分像的晶粒相邻面同时等光程成像检测的光学装置,完成了基于平行平板分像的晶粒相邻面同时等光程成像检测的实验验证。结果表明,采用该检测方法无需使用偏振光学元件与偏振CMOS传感器(相机)、或彩色相机及其相关的图像处理,就可以很好地实现晶粒双面同时成像检测的功能,有效提高了检测装置的性价比与检测效率。

采用类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒成像检测装置设计原理与实验研究

本文提出一种采用类迈克尔逊干涉仪结构的半导体晶粒双面同时成像检测的新装置,推导分析了采用类迈克尔逊干涉仪结构的半导体晶粒双面成像光程差随入射角度以及平行平板分光器/补偿器的厚度的变化关系。讨论了检测装置的设计并进行了实验验证。研究结果表明该检测装置可以满足晶粒相邻双面检测技术要求,且具有双面成像性能良好、结构简化、成本降低等优点.

基于双色分离成像法的晶粒双面同时等光程共焦成像检测

目前机器视觉常被用于大批量重复性工业生产过程,以及一些人工视觉难以满足要求的场合,通过机器视觉检测方法可以大大提高生产的效率和自动化程度。对于一些需要多面高精度检测的物体,如半导体晶粒,往往需要每一面配置一套图像采集系统,利用多套机构实现多面检测,增加了安装复杂性,降低了系统可靠性。提出了一种基于双色分离成像法的半导体晶粒双面同时等光程共焦成像检测的装置及方法,从而减少需配置的图像采集系统的数量,降低系统复杂性。该装置可实现晶粒相邻面同时完全等光程共焦成像,可用于需多面检测的机器视觉自动检测领域,从而可以在实际制造过程中降低成本。

基于机器视觉的半导体致冷器件晶粒三维尺寸检测图像处理算法

要为解决半导体致冷器行业现有人工检测尺寸存在效率低、成本高等问题,提出并研究基于机器视觉的半导体致冷器件晶粒三维尺寸检测的图像处理算法。根据检测精度、速度、准确率等要求,采用了一个光学检测装置实现半导体晶粒的三维尺寸。本文重点讨论半导体晶粒的三维尺寸检测流程和图像处理算法。系统采集的图像经直线分割算法和预处理、二值化、边缘与轮廊检测算法处理后获得待测晶粒图像,再经标定后系统计算得出半导体晶粒三维尺寸。实验结果表明,半导体晶粒尺寸检测精度达到±20μm,符合尺寸检测系统的技术指标。