高速四相时钟电路设计

基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个由基于RC网络相移特性的polyphase移相器和差分时钟缓冲器组成的2 GHz四相时钟电路。因单阶polyphase带宽不足而设计了三阶polyphase级联提高带宽。采用HBT(heterojuntion bipolar transistor)差分时钟缓冲取代MOS(metal oxide semiconductor)单端时钟缓冲,实现更高时钟频率的同时,差分结构也能有效抑制流入采样电容的时钟信号馈通。各模块版图设计均采用高度对称结构来消除相位误差。仿真结果表明,差分输入2 GHz正弦波时,可输出4路相位相差90°方波时钟信号,时钟上升时间约15 ps,4路时钟相位误差小于2.2°,应用到4通道采样保持电路后可成功采样和保持8 GHz正弦输入信号。