采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H-SiCSBDs

研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进行了测试。在外延片上进行的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的制造,采用了B+离子注入形成的一个非晶区域作为边缘终端,然后使用经过1000℃下退火10min的PECVD生长的SiO2作为场板介质。最终得到的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子为1.03,势垒高度为1.6eV,在反向偏压1102V时,漏电流密度只有1.15×10-3A/cm2。在正向压降3.5V时得到了7.47A的大电流输出,特征导通电阻为6.22Ω.cm2。

地地导弹突击机场对停放飞机的毁伤效果评估

侦察技术的不断发展使机场战斗目标的隐蔽性受到挑战,地面停放飞机遭受地地导弹突击将造成严重损伤,对毁伤效果的评估是飞机战伤抢修的前提和基础。通过分析地地导弹战斗部的爆炸过程,研究其爆炸时形成的破片、冲击波等因素的毁伤机理,建立毁伤概率的数学模型,主要包括破片毁伤模型、冲击波毁伤模型和耦合毁伤模型等。通过编程仿真计算在不同制导精度、不同装药量以及不同破片数下导弹对地面停放飞机的毁伤概率,为确定地地导弹突击机场时对停放飞机的毁伤效果提供依据。

热处理对低合金高速钢碳化物的影响

利用XRD对低合金高速钢及通用型高速钢M2各热处理状态下碳化物的数量及类型变化特点进行研究,同时对力学性能进行了测试。结果表明:由于采用较高的碳饱和度,低合金高速钢退火态的碳化物数量接近通用型高速钢M2,淬火过程中溶入基体及回火时析出的碳化物数量与M2钢相当,增加了固溶强化效果及二次硬化能力;使低合金高速钢经1170℃淬火+540℃×3 h三次回火后,其硬度和600℃红硬性可达M2钢的水平,获得了良好的综合性能。

回火工艺对低合金高速钢二次硬化的影响

研究了HJ低合金高速钢在各种回火规范下的力学性能和组织。结果表明:HJ高速钢随回火温度的升高,残余奥氏体量逐渐减少,硬度先上升,540℃时达二次硬化峰值;随回火温度的进一步升高,硬度下降,这是二次碳化物的聚集长大导致的。540℃×4h回火4次残余奥氏体进一步减少,硬度也呈上升趋势。

热处理对低合金高速钢组织和性能的影响

研究了淬火及回火温度对HJ低合金高速钢组织和力学性能的影响。结果表明,HJ高速钢的奥氏体晶粒尺寸及力学性能对淬火温度很敏感。1160℃淬火时奥氏体晶粒细小均匀,综合性能良好;1170℃以上淬火时出现混晶,1210℃以上淬火时晶粒全面粗化,导致韧性显著降低。HJ高速钢回火二次硬化效果明显,二次硬化峰值温度为540℃左右。