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光耦隔离传输中的非线性补偿 被引量:1
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作者 佘辉 陈乃刚 《长春工程学院学报(自然科学版)》 2001年第2期21-22,27,共3页
针对由于光电耦合器中发光二极管和光敏三极管的伏安特性 ,在光耦隔离传输中存在非线性失真这一问题 ,设计了一种简单的非线性补偿电路 。
关键词 光电耦合器 非线性失真 补偿电路
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不同重力取向对金刚石薄膜生长的影响
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作者 支文 杨洁 申彩霞 《农业与技术》 2000年第6期45-47,共3页
本文采用热丝 CVD方法在不同方向的 Si衬底上生长金刚石薄膜。研究了金刚石薄膜的生长特性以及不同重力取向对金刚石薄膜成核密度、生长速度和晶体品质的影响。通过激光喇曼光谱、原子力显微镜 (AFM)、扫描电镜 (SEM)等测试得出 :不同... 本文采用热丝 CVD方法在不同方向的 Si衬底上生长金刚石薄膜。研究了金刚石薄膜的生长特性以及不同重力取向对金刚石薄膜成核密度、生长速度和晶体品质的影响。通过激光喇曼光谱、原子力显微镜 (AFM)、扫描电镜 (SEM)等测试得出 :不同重力取向生长的金刚石薄膜成核密度和生长速度表现出明显的差别。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 重力取向 成核密度 生长速度
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硅掺杂半导体立方氮化硼单晶的制备 被引量:1
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作者 杨洁 王文晶 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2004年第3期107-109,共3页
本文采用扩散的方法实现了立方氮化硼的硅掺杂 ,分析了扩散温度、时间对其电阻的影响。实验结果表明 :在扩散的初始时段 ,立方氮化硼的电阻下降很快 ;而随着掺杂时间的增加 ,电阻变化趋缓 ,说明掺杂浓度随时间增加将出现饱和现象。另外 ... 本文采用扩散的方法实现了立方氮化硼的硅掺杂 ,分析了扩散温度、时间对其电阻的影响。实验结果表明 :在扩散的初始时段 ,立方氮化硼的电阻下降很快 ;而随着掺杂时间的增加 ,电阻变化趋缓 ,说明掺杂浓度随时间增加将出现饱和现象。另外 ,当扩散温度增加时 ,立方氮化硼的电阻也随之下降 ,即较高的温度有利于获得较高的掺杂浓度。 展开更多
关键词 扩散温度 扩散时间 立方氮化硼 单晶 硅掺杂半导体
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数字电压表作示零器 被引量:1
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作者 杨洁 石勇 +2 位作者 顾鼎熙 张航 张春鹏 《物理实验》 2000年第9期38-39,共2页
提出用数字万用表的电压档作示零器,替代指针检流计,通过对比实验和结果分析,证明是可行的,
关键词 数字电压表 检流计 示零器 数字万用表
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以奇偶校验位为标识的分布式计算机系统 被引量:1
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作者 李德裕 王文晶 孟祥宇 《长春大学学报》 2002年第1期19-21,共3页
实际应用中主从结构简单 ,在分布式计算机系统中经常使用。本文介绍了以PC机为主机、以其奇偶校验位为多机通讯标志位、以 80 3 1单片机为从机的主从分布式计算机系统。
关键词 主从结构 主机 从机 分布式计算机系统 奇偶校验位 通讯协议 多机通讯标志位
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