“十三五”我国半导体照明产业发展展望

我国半导体照明领域关键技术与国际水平差距不断缩小。近年来,我国半导体照明产业总体呈现持续上升态势。我国的半导体照明产业集中度稳步提升,要提升光品质,关注光健康,按需照明和超越照明是趋势。

中国先进半导体材料及辅助材料发展战略研究

目前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工业体系安全。本文在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上,寻找差距,结合我国现实情况,提出了构建半导体材料及辅助材料体系化发展、上下游协同发展和可持续发展的发展思路,制定了面向2025年和2035年的发展目标。为推动我国先进半导体材料及辅助材料产业发展,提出了建设集成电路关键材料及装备自主可控工程,SiC和GaN半导体材料、辅助材料、工艺及装备验证平台,先进半导体材料在第五代移动通信技术、能源互联网及新能源汽车领域的应用示范工程,并对如何开展三项工程进行了需求分析,设置了具体的工程目标和工程任务。最后,为推动半导体产业的创新发展,从坚持政策推动,企业和机构主导,整合国内优势资源;把握"超越摩尔"的历史机遇,布局下一代集成电路技术;构建创新链,进行创新生态建设等方面提出了对策建议。

第三代半导体产业发展与趋势展望

第三代半导体是全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点。综述了第三代半导体发展现状、中国对第三代半导体产业的科技支持政策及当前面临的风险和存在的问题。阐述了第三代半导体产业技术创新战略联盟的探索实践,包括推动产学研用创新联合体对接国家重大项目、推动国家级公共平台和产业创新生态建设、制定团体标准并推动相关检测平台建设、通过创新创业服务促进大中小企业融通发展、精准深度国际合作等。针对当前国际形势及中国第三代半导体产业面临的机遇和挑战,提出5点建议:尽快启动国家2030重大项目,通过国家第三代半导体技术创新中心形成合力,瞄准国家重大需求,探索新型举国体制;夯实支撑产业链的公共研发与服务等基础平台;加速推动产业生态环境的完善;组织实施应用示范工程,充分发挥需求端对产业的带动作用;构建科技资本网链,实现国家信用对研发链、产业链和资本链的拉动。

第三代半导体产业发展与趋势展望

第三代半导体材料是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等带隙宽度明显大于硅(Si,1.1~1.3 V)和砷化镓(GaAs.1.4 V)的宽禁带半导体材料,具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,以宽禁带半导体材料为基础制备的电子器件是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网、国防军工等产业自主创新发展和转型升级的关键核心器件,在国家安全(打破战略平衡的战略物资)、国家经济安全(能源、交通、通信)和传统产业转型升级(低碳、智能)方面均起到核心支撑作用。

SiC MOSFET功率器件标准研究

本文结合SiC MOSFET国际标准进展,分析了阈值电压漂移、偏压温度不稳定性、体二极管退化测试标准的制定难点;同时,根据国内外产业发展现状、我国技术标准进展,分析了测试设备精度、新型封装、动态可靠性等关键问题与标准制定面临的挑战,并提出了首先定位团体标准制定的工作机制,以期以技术标准的研制支撑产业的市场化发展。

建设产教融合可持续发展平台

目前,国内半导体照明产业已建立了完整的产业链,实现了性价比有优势的生态光源,并筹建了第三代半导体产业技术创新战略联盟。在建设产教融合企业和城市的政策引导下,2022年前后,行业人才需求约75万人。联盟对此采取的产教融合举措有三:一是开展"双师"合作,培养学生的工程实践能力;二是与行业平台合作,开展课程、线下实践、共享实训合作;三是举办半导体行业竞赛,选拔人才。我对产教融合协同创新与育人的未来展望是,围绕产业链构建创新链、人才链和资本链;发挥联盟政、产、学、研资源优势,构建协同创新与协同育人深度融合的机制与模式;建设开放的、国际化的产教融合可持续发展平台。