低G预适应对高G暴露致大鼠学习记忆功能受损的影响

目的探讨低G预适应对高G致大鼠学习记忆功能受损的影响。方法24只雄性SD大鼠随机分为对照组、+10Gz/3min组和低G预适应组,每组8只。低G预适应组在+10Gz/3min暴露前进行3d的+4Gz/3min锻炼(1次/d)。观察单次+10Gz/3min暴露后0、2、4和6d大鼠学习记忆功能的变化。结果旷场反应中,+10Gz/3min组中央格停留时间在0d,2d较对照组显著延长(P<0.05),总得分在0d显著降低(P<0.01);低G预适应组0d的中央格停留时间显著延长(P<0.01),总得分显著降低(P<0.01)。与+10Gz/3min组比较,低G预适应组中央格停留时间从2d开始有缩短趋势,6d时达到显著水平(P<0.05),各时间点总得分均无显著差异。辨别性学习能力测试中,+10Gz/3min组正确反应次数在各时间点均较对照组显著下降,反应时在各时间点均较对照组显著延长(P<0.01);低G预适应组正确反应次数和反应时在各时间点均与对照组无明显差别;与+10Gz/3min组比较,低G预适应组在各时间点的正确反应次数均显著增加(P<0.01),反应时均显著缩短(P<0.01)。被动回避反应中,与对照组比较,+10Gz/3min组的0d潜伏期显著延长(P<0.05),6d潜伏期显著缩短(P<0.01),学习所用总时间与错误数无显著性变化;低G预适应组各项检测项目均无明显改变;与+10Gz/3min组比较,低G预适应组大鼠的6d潜伏期显著延长(P<0.