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一种基于低温多晶硅TFT技术的柔性8位异步微处理器
1
作者
Nobuo Karaki
Takashi Nanmoto
+3 位作者
Hiroaki Ebihara
Satoshi Inoue
Tatsuya Shimoda
代永平
《现代显示》
2006年第4期30-34,共5页
介绍基于低温多晶硅TFT技术和采用激光退火表面刻蚀技术的柔性8位异步微处理器,并且给出了异步电路描述语言Verilog+。32,000个晶体管的微处理器在500kHz,5V的条件下消耗电流180mA,功耗是同步微处理器的30%。
关键词
低温多晶硅
激光退火表面刻蚀
异步微处理器
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职称材料
题名
一种基于低温多晶硅TFT技术的柔性8位异步微处理器
1
作者
Nobuo Karaki
Takashi Nanmoto
Hiroaki Ebihara
Satoshi Inoue
Tatsuya Shimoda
代永平
机构
精工爱普生公司技术平台中心
南开大学
出处
《现代显示》
2006年第4期30-34,共5页
文摘
介绍基于低温多晶硅TFT技术和采用激光退火表面刻蚀技术的柔性8位异步微处理器,并且给出了异步电路描述语言Verilog+。32,000个晶体管的微处理器在500kHz,5V的条件下消耗电流180mA,功耗是同步微处理器的30%。
关键词
低温多晶硅
激光退火表面刻蚀
异步微处理器
Keywords
low-temperature poly-silicon (LTPS)
surface free technology by laser annealing and ablation,(SUFTLA)
asynchronous microprocessor
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
一种基于低温多晶硅TFT技术的柔性8位异步微处理器
Nobuo Karaki
Takashi Nanmoto
Hiroaki Ebihara
Satoshi Inoue
Tatsuya Shimoda
代永平
《现代显示》
2006
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