高热导率半导体立方砷化硼的研究进展

根据第一性原理计算的预测结果显示,立方砷化硼(c-BAs)具有仅次于金刚石的超高热导率(1400W/m∗K),具备出色的热管理特性。c-BAs的发现对于电子器件的散热应用具有重要的影响,因此成为当前研究的热点。近年来,通过化学气相传输法(Chemical vapor transmission,CVT)成功合成了高质量的BAs单晶,为研究其性质提供了实验基础。BAs晶体在实验中展现出优异的热导率和双极性迁移率,是目前已知性能最佳的半导体材料,有望成为下一代新型半导体。本文综述了BAs单晶的生长方法、理论计算和物理性质方面的研究进展,并在此基础上,讨论了BAs晶体当前面临的技术挑战以及发展前景。