硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响

通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明,硅单晶片中的氧含量对产品成品率具有重要影响。当氧含量在1.77×1018～1.87×1018atoms/cm3及以上时,硅单晶片边缘出现明显的位错排,断面存在大量层错和位错缺陷,部分缺陷进入外延层中的晶体管,造成该处晶体管结漏电。相反,当氧含量偏低时,硅单晶片内的缺陷较少且分布不均,使得硅单晶片受到金属污染时不能有效吸杂而产生失效。

考虑应变梯度和应变率效应的高速切削绝热剪切带研究

应用应变梯度塑性理论来表示高速切削绝热剪切现象,提出绝热剪切带的应变和应变梯度的分布模型,分析了材料的内禀长度对应变及应变梯度的影响.分析结果表明:剪切应变在绝热剪切带中心达到最大值,在两边界线应变达到最小或零;应变梯度在绝热剪切带中心达到最小或零,在两边界线达到最小或零.当材料的内禀长度越大时,绝热剪切应变变化越小越缓慢,应变梯度变化越大.

耐高压大电流IGBT管芯的设计与工艺关键技术研究

IGBT广泛应用于电子、新能源、铁路交通、智能电网等领域.由于难以克服IGBT关键的减薄工艺与背面集电极工艺难题,1 200 V以上的耐高压IGBT领域还是少有产品问世.文章主要研究1 700 V高压的IGBT管芯结构设计和制造的关键工艺,包括双面深结扩散工艺、背面透明集电极工艺、结终端结构设计及版图设计等.这些关键技术的应用提升了IGBT管芯的耐高压性能和工作稳定性、可靠性.

LINUX下PC104总线接口的内存映射

本文主要讲述了在GNU/Linux平台下,利用PC104总线接口实现用户本地的连续64KB地址空间。设备驱动程序采用内存映射的方法实现,描述了实现设备驱动程序的file_operations结构中的mmap方法。