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脉冲供氧反应磁控溅射TiO2薄膜的结构和形貌研究
1
作者
王秩伟
龚恒翔
+1 位作者
李雪
谭永胜
《中国材料科技与设备》
2008年第1期52-55,共4页
利用脉冲供氧反应磁控溅射制备了TiO2薄膜。分别用XRD和SEM研究了晶体结构和表面形貌。结果表明,当氧浓度高或Toff小,样品为锐钛矿结构,晶粒大小20~30nm;而当氧浓度低或Toff大,样品为金红石结构,晶粒大小10~15nm。应变分析表明...
利用脉冲供氧反应磁控溅射制备了TiO2薄膜。分别用XRD和SEM研究了晶体结构和表面形貌。结果表明,当氧浓度高或Toff小,样品为锐钛矿结构,晶粒大小20~30nm;而当氧浓度低或Toff大,样品为金红石结构,晶粒大小10~15nm。应变分析表明,锐钛矿结构只存在压应变,大小0.044~0.211;而金红石存在压应变(大小0.021-0.398)或张应变(大小0.182~0.438)。氧浓度低(或Toff大)样品具有更平整的表面和更均一的晶粒大小。
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关键词
TIO2
脉冲供氧
反应磁控溅射
应变
形貌
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职称材料
溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征
被引量:
1
2
作者
王秩伟
龚恒翔
+1 位作者
李雪
谌家军
《纳米科技》
2007年第6期50-54,共5页
用氧脉冲直流反应磁控溅射法,在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间%的多晶TiO2纳米薄膜,并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现,脉冲式通氧能有效消除靶中毒,将薄膜沉积速率最大提高到3~5nm/mi...
用氧脉冲直流反应磁控溅射法,在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间%的多晶TiO2纳米薄膜,并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现,脉冲式通氧能有效消除靶中毒,将薄膜沉积速率最大提高到3~5nm/min,并且当断氧时间大于30s时,沉积速率在2.5nm/min以上;薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化,在初始氧浓度为30%、断氧时间为30s时,金红石结构样品具有最佳结晶程度,并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀,而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30%或50%、断氧时间20s.
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关键词
TIO2
薄膜
靶中毒
晶体结构
表面形貌
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职称材料
氧脉冲磁控溅射法制备多晶TiO2薄膜
3
作者
王秩伟
龚恒翔
+1 位作者
李雪
谌家军
《纳米科技》
2008年第1期37-44,共8页
利用一种改进的溅射方法在载波片上制备了多晶TiO2薄膜。由于该法在溅射过程中氧气控制得像脉冲一样,所以称之为氧脉冲直流磁控反应溅射。它能有效的减轻靶中毒,样品沉积速率达到传统反应溅射法的7倍左右。分别利用椭圆偏振测厚仪、X...
利用一种改进的溅射方法在载波片上制备了多晶TiO2薄膜。由于该法在溅射过程中氧气控制得像脉冲一样,所以称之为氧脉冲直流磁控反应溅射。它能有效的减轻靶中毒,样品沉积速率达到传统反应溅射法的7倍左右。分别利用椭圆偏振测厚仪、X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了沉积时间、氧分压以及氧气开关时间对沉积速率、晶体结构和表面形貌的影响。研究结果显示,在氧分压为30%,断氧时间Toff=30s和20s下制备的样品具有最好的金红石相或锐钛矿相单一晶体结构,并且在Toff=30s时,具有最佳的表面形貌。此外,在较高沉积速率和较低氧分压下,样品更趋向于生成金红石相。利用范德堡法研究了样品的电阻率,在氧分压为30%,Toff=30s和50%,Toff=40s下制备的样品的电阻率为10·cm左右。该样品适合进一步研究透明导电TiO2薄膜。
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关键词
TIO2薄膜
反应溅射
氧控制
沉积速率
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职称材料
题名
脉冲供氧反应磁控溅射TiO2薄膜的结构和形貌研究
1
作者
王秩伟
龚恒翔
李雪
谭永胜
机构
西华师范大学
物理与
电子信息
学院
绍兴文理学院材料物理与设备研究所
出处
《中国材料科技与设备》
2008年第1期52-55,共4页
基金
绍兴市科技局资助项目(2003141和2004147)
文摘
利用脉冲供氧反应磁控溅射制备了TiO2薄膜。分别用XRD和SEM研究了晶体结构和表面形貌。结果表明,当氧浓度高或Toff小,样品为锐钛矿结构,晶粒大小20~30nm;而当氧浓度低或Toff大,样品为金红石结构,晶粒大小10~15nm。应变分析表明,锐钛矿结构只存在压应变,大小0.044~0.211;而金红石存在压应变(大小0.021-0.398)或张应变(大小0.182~0.438)。氧浓度低(或Toff大)样品具有更平整的表面和更均一的晶粒大小。
关键词
TIO2
脉冲供氧
反应磁控溅射
应变
形貌
Keywords
TiO2 Pulse oxygen-supply
Reactive magnetron sputtering Strain Topography
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征
被引量:
1
2
作者
王秩伟
龚恒翔
李雪
谌家军
机构
西华师范大学
物理与
电子信息
学院
绍兴文理学院材料物理与设备研究所
出处
《纳米科技》
2007年第6期50-54,共5页
基金
绍兴市科技局项目(No.2003141
No.2004147)
文摘
用氧脉冲直流反应磁控溅射法,在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间%的多晶TiO2纳米薄膜,并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现,脉冲式通氧能有效消除靶中毒,将薄膜沉积速率最大提高到3~5nm/min,并且当断氧时间大于30s时,沉积速率在2.5nm/min以上;薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化,在初始氧浓度为30%、断氧时间为30s时,金红石结构样品具有最佳结晶程度,并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀,而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30%或50%、断氧时间20s.
关键词
TIO2
薄膜
靶中毒
晶体结构
表面形貌
Keywords
TiO2 thin films
target poisoning
crystal structure
surface morphology
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
氧脉冲磁控溅射法制备多晶TiO2薄膜
3
作者
王秩伟
龚恒翔
李雪
谌家军
机构
西华师范大学
物理与
电子信息
学院
绍兴文理学院材料物理与设备研究所
出处
《纳米科技》
2008年第1期37-44,共8页
文摘
利用一种改进的溅射方法在载波片上制备了多晶TiO2薄膜。由于该法在溅射过程中氧气控制得像脉冲一样,所以称之为氧脉冲直流磁控反应溅射。它能有效的减轻靶中毒,样品沉积速率达到传统反应溅射法的7倍左右。分别利用椭圆偏振测厚仪、X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了沉积时间、氧分压以及氧气开关时间对沉积速率、晶体结构和表面形貌的影响。研究结果显示,在氧分压为30%,断氧时间Toff=30s和20s下制备的样品具有最好的金红石相或锐钛矿相单一晶体结构,并且在Toff=30s时,具有最佳的表面形貌。此外,在较高沉积速率和较低氧分压下,样品更趋向于生成金红石相。利用范德堡法研究了样品的电阻率,在氧分压为30%,Toff=30s和50%,Toff=40s下制备的样品的电阻率为10·cm左右。该样品适合进一步研究透明导电TiO2薄膜。
关键词
TIO2薄膜
反应溅射
氧控制
沉积速率
Keywords
TiO2 thin films
reactive sputtering
oxygen control
deposition rate
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲供氧反应磁控溅射TiO2薄膜的结构和形貌研究
王秩伟
龚恒翔
李雪
谭永胜
《中国材料科技与设备》
2008
0
下载PDF
职称材料
2
溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征
王秩伟
龚恒翔
李雪
谌家军
《纳米科技》
2007
1
下载PDF
职称材料
3
氧脉冲磁控溅射法制备多晶TiO2薄膜
王秩伟
龚恒翔
李雪
谌家军
《纳米科技》
2008
0
下载PDF
职称材料
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