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直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
被引量:
4
1
作者
徐赛生
曾磊
+2 位作者
张立锋
张卫
汪礼康
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1070-1073,共4页
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和...
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
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关键词
CU互连
电沉积Cu层
脉冲电镀
直流电镀
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职称材料
题名
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
被引量:
4
1
作者
徐赛生
曾磊
张立锋
张卫
汪礼康
机构
复旦大学微
电子
学系复旦-诺发互连研究中心
罗门哈斯电子材料上海有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1070-1073,共4页
基金
国家自然科学基金项目(90607019)
上海市科委AM基金(0304)
文摘
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
关键词
CU互连
电沉积Cu层
脉冲电镀
直流电镀
Keywords
copper interconnect
electrodeposited copper
pulse plating
DC plating
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
徐赛生
曾磊
张立锋
张卫
汪礼康
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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职称材料
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