半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱

本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达10~7cm^(-3);在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到与浅杂质更高激发态有关的跃迁。

超纯半导体的高分辨率光热电离光谱

一、引言 超纯半导体不仅在核辐射及红外辐射探测等方面有重要应用,而且对半导体浅杂质态研究亦具有积极意义。由于超纯半导体中浅杂质含量极微,所有传统的杂质检测方法已难以探测和识别,因此很有必要发展相应的高灵敏度检测手段。