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利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁
被引量:
1
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作者
康博南
黄宗浩
+6 位作者
谢腾峰
王德军
常玉春
刘杨
宋俊峰
张邦恒
杜国同
《吉林大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期190-193,共4页
利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50~ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0~ 60 0 nm) .实验证明 。
关键词
MEH-PPV
表面光电压谱
定域态
定域跃迁
共轭聚合物
能级跃迁
聚对苯乙炔
光电性能
下载PDF
职称材料
XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化
被引量:
3
2
作者
王金忠
闫玮
+9 位作者
王新强
殷景志
姜秀英
杨树人
杜国同
高鼎三
Xiang Liu
Hui Cao
Junying Xu
R.P.H.Chang
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期169-172,共4页
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮...
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。
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关键词
等离子体MOCVD
X射线衍射
氧化锌薄膜
退火工艺
生长条件
下载PDF
职称材料
题名
利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁
被引量:
1
1
作者
康博南
黄宗浩
谢腾峰
王德军
常玉春
刘杨
宋俊峰
张邦恒
杜国同
机构
吉林
大学
电子科学与工程学院
东北师范
大学
化学系
吉林
大学
化学科学学院
美国西北大学材料研究中心
出处
《吉林大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期190-193,共4页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 10 70 0 2 )
文摘
利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50~ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0~ 60 0 nm) .实验证明 。
关键词
MEH-PPV
表面光电压谱
定域态
定域跃迁
共轭聚合物
能级跃迁
聚对苯乙炔
光电性能
Keywords
MEH-PPV
surface photovoltage
local state
分类号
O632.17 [理学—高分子化学]
O631.2 [理学—高分子化学]
下载PDF
职称材料
题名
XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化
被引量:
3
2
作者
王金忠
闫玮
王新强
殷景志
姜秀英
杨树人
杜国同
高鼎三
Xiang Liu
Hui Cao
Junying Xu
R.P.H.Chang
机构
吉林
大学
电子工程系
美国西北大学材料研究中心
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期169-172,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目! (6 9896 2 6 0
5 9910 16 1983)
吉林省科学基金资助项目! (19990 5 18- 1)
文摘
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。
关键词
等离子体MOCVD
X射线衍射
氧化锌薄膜
退火工艺
生长条件
Keywords
plasma-assisted MOCVD
XRD
sapphire
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁
康博南
黄宗浩
谢腾峰
王德军
常玉春
刘杨
宋俊峰
张邦恒
杜国同
《吉林大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
2
XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化
王金忠
闫玮
王新强
殷景志
姜秀英
杨树人
杜国同
高鼎三
Xiang Liu
Hui Cao
Junying Xu
R.P.H.Chang
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001
3
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职称材料
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