利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁

利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50～ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0～ 60 0 nm) .实验证明 。

XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化

利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。