氟化Si(100)表面的结构研究(英文)

用He原子衍射研究了氟化Si(100)表面的结构。由He衍射测定表明Si的悬空键是氟吸附的位置。F_2与Si(100)2×1反应并不扰乱Si-Si二聚键,在F_2入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高F_2入射平动能可经活化而使F_2与氟化的表面进一步反应,而且在高能F_2暴露后观察到无序的表面结构。

磁瓶式光电子能谱和速度成像光电子能谱对APS-(A=C14H10,蒽)的研究:电子结构,APS?的自旋轨道耦合和APS-的自旋偶极态（英文）

Dibenzo-7-phosphanorbornadiene P-sulfide anions APS-（A=C14H10，蒽）是一种非常重要有机磷分子前驱体．该类化台物通过释放有机成分蒽，进而得到纯净的各种无机磷小分子．本文通过电喷雾离子技术将其从溶液相转移到气相中，然后通过磁瓶式光电子飞行时间能谱和速度成像光电子能谱，并结合计算对其几何和电子结构进行研究．通过不同波长的光谱对比以及Franck-Condon模拟，得到其电子亲和势（2．62±0．05eV）和自旋轨道劈裂（43±7meV）．实验光谱不仅给出丰富的电子结构信息，而且呈现一个非常独特的现象：不同波长（440、450、460nm）的速度成像光电子能谱在同一位置均出现一个尖锐的峰．理论计算显示APS有足够大偶极矩（3．31D），能够产生自旋偶极电子．进一步的计算将具有相同动能（17．9meV）的强峰归属来自振动-电子态耦台引起的电子自动脱附的态-态跃迁过程．通过对其几何结构和电子结构的研究，有助于理解磷转移反应中化学键的断裂和形成．