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一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文) |
Parke S A
Cole Bryan
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《南京师范大学学报(工程技术版)》
CAS
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2003 |
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SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文) |
Kim C S
Burke F
Rambhatla A
赵阳
Zahurak J
Parke S A
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《南京师范大学学报(工程技术版)》
CAS
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2003 |
0 |
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3
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基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文) |
Burke F
Rambhatla A
Zahurak J
Parke S A
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《南京师范大学学报(工程技术版)》
CAS
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2003 |
0 |
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