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快速热工艺系统中的氮-硅反应
1
作者
黄宜平
CarlosA.PazDeAraujo
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期208-214,共7页
本文报道了以卤素钨灯为辐射源的快速热工艺(RTP)系统中的氮-硅直接热反应并和在常规电阻丝加热氧化炉中的氮-硅反应作了比较。并研究了RTP系统中氮-硅反应生成的超薄含氮表面层对氧化的抑制效应。实验结果表明,含氮表面层的生成以及对...
本文报道了以卤素钨灯为辐射源的快速热工艺(RTP)系统中的氮-硅直接热反应并和在常规电阻丝加热氧化炉中的氮-硅反应作了比较。并研究了RTP系统中氮-硅反应生成的超薄含氮表面层对氧化的抑制效应。实验结果表明,含氮表面层的生成以及对氧化的抑制效应和硅片初始氧化层厚度、氮-硅反应时的条件有关。
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关键词
氮-硅反应
热工艺
卤素钨灯
RTP
下载PDF
职称材料
题名
快速热工艺系统中的氮-硅反应
1
作者
黄宜平
CarlosA.PazDeAraujo
机构
复旦
大学
电子工程
系
美科罗拉多大学电视系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期208-214,共7页
文摘
本文报道了以卤素钨灯为辐射源的快速热工艺(RTP)系统中的氮-硅直接热反应并和在常规电阻丝加热氧化炉中的氮-硅反应作了比较。并研究了RTP系统中氮-硅反应生成的超薄含氮表面层对氧化的抑制效应。实验结果表明,含氮表面层的生成以及对氧化的抑制效应和硅片初始氧化层厚度、氮-硅反应时的条件有关。
关键词
氮-硅反应
热工艺
卤素钨灯
RTP
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速热工艺系统中的氮-硅反应
黄宜平
CarlosA.PazDeAraujo
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989
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