美高森美推出领先的双端口以太网供电无源集线器

半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（MicrosemiCorporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）日前发布全新PD-9002GHO／AC以太网供电（Power—over—Ethernet，PoE）端口（dual-port）无源集线器——这是业界首个此类用于户外应用的器件。PD-9002GHO提供了符合IEEE802．3at标准及具有成本效益的解决方案，为每个端口提供30W功率，同时确保两个标准PoE数据终端在户外环境中安全和可靠地运行。

美高森美选择英特尔代工服务开发数字集成电路

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（MicrosemiCorporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）宣布利用英特尔公司（INTC）业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22nm3-DTri—Gate晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路（IC）和系统级芯片（SoC）解决方案。这项于2013年1月签署的协议与关高森美的战略相一致，将充分利用公司广泛的高技术产品争取更高性能和更高价值的机会。英特尔的Tri—Gate晶体管提供了空前的性能和功效组合，使得美高森美能够开发出用于高性能计算、网络加速和信号处理应用的数字IC产品。目前美高森美正在与客户接洽，并且开始使用英特尔22nm工艺节点进行设计，预计将于2014年底到2015年初提供产品。

美高森美宣布业界最低功率SmartFusion2 SoC FPGA

美高森美公司( Microsemi Corporation ，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC )日前宣布 SmartFusion?2 SoC FPGA 和IGLOO?2 FPGA 已经获得 PCI?Express ( PCIe )2.0端点( endpoint )规范认证，并且现已包含在 PCI SIG 整合组件厂商名单( Integrators List )中。按照公司的测试结果，新认证的器件是业界功率最低的 PCIe 2.0可编程逻辑解决方案，与其他带有相同功能的可编程序逻辑器件相比，可减少高达10X 的静态功耗。此外，这些创新解决方案提供了更高的安全性和可靠性，使得它们成为高实用性、低功率应用的理想选择，例如通信基础设施设备、可编程序逻辑控制器、医疗诊断设备和国防设备的桥接应用。

美高森美发布全新Switchtec PAX PCIe交换器件

美高森美公司宣布其Switchtec PAX网络互连Gen3 PCIe交换器件提供高性能的网络连接，用于可扩展多主机系统及Just a bunch of flash（JBOF），并且支持单根输入／输出（I／O）虚拟化（SR-IOV）、NVMe和多功能端点。

美高森美公司2011年展望

在过去一年,美高森美公司SoC产品部门推出了创新的SmartFusion智能混合信号FPGA产品。SmartFusion是具有处理功能的系统级芯片,集成有ARM Cortex-M3嵌入式微控制器,带有模数转换器（ADC）、比较器、电压/电流/温度传感器、数模转换器（DAC）的可编程模拟资源,

通过电信级IEEE 1588-2008(PTP)提高移动回程网络的可靠性

电信网络正迅速从电路交换转向分组交换技术来满足带宽的爆炸性需求,然而,电路交换TDM网络在物理层上保持整个网络的精确频率同步,而基于异步以太网的分组交换网络无法提供这种确定性同步服务。这会给运营商带来问题,因为接入平台如蜂窝基站在传统上依赖于在网络回程连接上所提供的同步,来确保为终端用户应用提供高QoS。

高可靠性及高可用性系统管理

半导体器件易于发生故障，即便在半导体销售商对半导体器件进行了测试、封装和交付之后也不例外。半导体器件在系统中发生故障的主要因素包括电气、环境和机械引发的故障。由于机械故障在电气或电子阶段几乎不可能缓减，所以，本文将主要讨论电气和环境应力问题。

高性能LED驱动器令智能照明系统升级

高性能LED驱动IC将加速实现智能照明系统。智能LED驱动IC可协助工程人员开发出无闪烁调光，并可实现远程监控与管理的照明系统，以符合市场对于LED灯具高色彩精准度的要求，进而提高产品附加价值。

铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响

采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TRR呈线性下降趋势;并且相同扩散温度条件下,电阻率越小的样品TRR值越小.随着铂扩散时间的增加,TRR值逐渐减小.分析了TRR以及正向压降VF的温度特性,表明随着工作温度的升高,TRR呈上升趋势,而VF随温度的升高而下降.

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性。得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500ns,VF控制在0.9～1.3V。不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因。

工艺参数对TVS器件电性能的影响

采用液态源扩散法制备了双向型瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS)器件。研究了扩散温度、扩散时间、电阻率、钝化保护等工艺参数对TVS器件电性能的影响。扩散温度、扩散时间的增加将使扩散结的结深增加;电阻率的提高及结深的增加,将使TVS器件的雪崩击穿电压增大;合适的钝化保护方法将有助于减小器件的反向漏电流。给出了电压和扩散时间之间的经验估算公式,该公式可用来指导得到希望的TVS目标电压档。据验算,该公式的误差在10%以内。

物联网中的硬件安全性

在物联网设备中,为保证硬件和嵌入式系统的安全,不仅需要软件安全,硬件安全性、设计安全性以及数据安全性的组件也是必不可少的。FPGA器件具有加密的位流、多个密匙存储单元、经过授权许可的DPA对策、安全的闪存、防篡改功能,并加入了PUF功能,是保护现今用户可访问联网硬件产品所不可或缺的组成部分。

ADAS和安全连接汽车

本文介绍了汽车ADAS和V2X所需的安全密钥技术。

使用微型原子钟可以使依赖GPS的设备按比例缩小

本文介绍了微型原子钟的技术性能及其应用实例,并就OCXO、CSAC、MAC等技术进行了对比,分析了各技术的适用场景。

RISC-V:改变SoC器件的开发

直到不久之前,面对集成FPGA架构和微控制器的SOC器件,开发人员仅有非常少的IP授权选项。而且这些IP的内核和工具生态系统十分封闭,开发人员也无法或仅有极少能力来把软件移植到其它架构中。RISC-V开放式指令集架构（I S A）完全改变了这个状况,不仅根除权益金费用和其它授权许可IP内核限制,

低压电流侦测技术提升电源回授与保护效力

用于某一特定负载的隔离电源输出的电压和电流控制,通常包含对输出电压和电流的侦测,这些信息会用做电源一次侧引擎的回授。其功能元件包括稳定的基准电压、放大基准电压和侦测电压之间差异的增益元素,以及来自误差放大器（Error Amplifier）输出的缓冲,以便在回授电路中驱动信号穿过隔离边界至一次侧控制器。

尖端科技实现芯片级原子钟

原子钟技术开启了一个世界,对于现代社会运转至关重要的通讯、导航、信号处理和许多其它应用来说,超精确计时成为了强制性要求。然而,更小、更轻和更节能（即更便携）的这类系统已经出现,但原子钟本身却还没有跟上相同的发展趋势。发展滞后的原因有二：第一,传统原子钟技术的规模太小;第二,即便你可以制造出当今最小的原子钟,远远小于现存的产品（大约为扑克牌大小）,但在便携式应用中它们仍有严重的缺点——电池电源和环境温度是实际问题。

使用PWM控制直流风扇

风扇应用概述最近几年来,业界对于利用集成电路控制用于各种电子设备的冷却风扇速度的兴趣一直在增长。电子产品,尤其消费电子产品的尺寸,每天都在显著减小,但是由于在芯片上运行的应用程序日趋复杂,芯片产生的热量却在增加。有两种方式可以去除所产生的热量。一种方法就是使用无源元件,比如散热器和热导管,

单粒子翻转与医疗器件

随着集成电路（IC）工艺节点不断缩小，器件更容易受高能粒子的攻击而发生单粒子翻转（single-eventupset，SEU）。特别应该关注的是器件中的静态RAM结构。这些风险在太空应用领域已经是早被意识到的问题，如今这种担沈也正在蔓延到其它领域，如网络、航空电子、汽车，以及医疗器件。

在网络设备上实现多个光模块的数字诊断功能

数字诊断功能是一种低成本高效益的性能监测手段,可以监测光模块发射光功率、接收光功率、温度、供电电压、激光偏置电流以及警告信息等重要性能参数.有了数字诊断功能,网络设备中的管理单元（如CPU）就能够由双线串行总线来访问光模块进行参数监测,最终能够迅速找到光纤链路中的故障位置,简化维护工作,提高系统的可靠性.