二氧化硅上的铝金属化层失效模式分析

主要从 SiO_2的质量、铝金属化质量、电应力和热应力等诸多因素出发分析 SiO_2表面上铝金属化层的失效模式。

接口电路LN4993失效机理分析

通过对接口电路LN4993几次现场失效及厂家筛选中失效电路的分析，并做了ESD试验模拟试验，总结出LN4993几种失效模式，探讨其失效机理，发现这种NMOS电路ESD损伤阈值为1500V，电路失效多数是过电应力（EOS）或静电损伤（ESD）造成。

进口12位模数转换器AD_(572)SD失效分析案例

1 概况产品名称:×××型号计算机第17台上使用的12位模数转换器AD_(572)SD产品编号:电路批号 8812工程阶段:失效发生在进行综合测试时时间:1993年10月21日地点:实验室该电路由美国AD公司生产,二次集成电路,32条腿,陶瓷双列直插式封装,顶面上有金属盖板平行封焊,密封工艺良好。2 失效现象12位模数转换器失效,全部输出端恒为高电平。该电路从印制板上拆卸下来后,及时进行了仔细的失效分析。

国产二次集成电路的主要失效模式

本文全面总结了国产二次集成电路的主要失效模式，并在此基础上，从二次集成电路生产中的外购原材料、设计、工艺及使用等各方面，分析了其产生的原因。最后，针对反映出的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。

国产二次集成电路的主要失效模式及分析

在总结了国产二次集成电路的主要失效模式的基础上，分析了其产生的原因，并针对反映的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。