通过纯软件的方法测试数字处理器的故障敏感性(英文)

对于工作在高辐射太空中的飞行器而言,它不可避免会受到单粒子效应的影响。因此,如何预测飞行器中单粒子效应敏感区域以便加强保护措施是一件很重要的工作。但事实上,要预测单粒子效应对飞行器的影响并不容易。本文给出了一种通过纯软件来评测飞行器系统对单粒子效应的敏感程度的方法——软件故障注入法——这也是评测微电子电路可靠性极具前景的方法。该方法采用高效的汇编语言在汇编级实现,对目标系统不会造成损伤,并且使用方便。试验的结果表明,目标处理器对于单粒子翻转的敏感性大约为1.38％到2.35％,且寄存器的敏感性要高于内存区。

浅谈燃料动力费用的控制

燃料动力费用的控制从外购动力方面讲，采取增强节约意识，制定节约措施，建全计量仪表，实施改造节能方案等办法进行控制；从自制动力方面讲，建全仪表计量，提高操作技能，强化宣传教育，树立节约意识，严堵浪费漏洞，及时统计汇总等方面进行控制。

4H-SiC MESFET特性对比及仿真

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP_(CG),通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EP_(CG)分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明,当EP_(CG)为1/2栅时,最大饱和漏电流取得最大值,在V_G=0 V、V_(DS)=40 V的条件下达到了545 mA;当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时,最大饱和漏电流均不如EP_(CG)为1/2栅时取得的最大值。

晶体管场环终端技术的优化设计及应用

主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设计并通过优化场环间距来满足晶体管的高耐压要求,并通过Silvaco软件进行工艺和器件仿真。根据仿真结果及理论计算进行浮空场环优化设计,并通过实际流片验证浮空场环对晶体管耐压性能的提高效果。