MOS电离辐照感生Si-SiO_2界面态及其密度的能级分布

本文主要讨论n(100)硅栅MOS样品在^(60)Coγ射线辐照下,氧化层电荷ΔD_(ot)、Si-SiO_2界面态密度ΔD_(tt)和界面态密度的能级分布。实验证明,辐照效应与偏置电场密切相关,在+1MV/cm偏置电场辐照时,出现氧化层电荷和界面态密度峰值,禁带中央态密度正比于被俘获空穴的密度,硅栅样品的界面态密度在禁带中服从U型分布,而铝栅n衬MOS样品辐照后出现具有确定能级(E_c—E_s=0.41—0.5eV)的界面态密度分布宽峰。

准谐振ZVS双管正激变换器的研制与应用

详细论述了准谐振ZVS在双管正激变换器中的应用。在变换器中,准谐振辅助电路由一个电感器、一个二极管、一个开关管构成,无功损耗小,无需变压器辅助绕组,也不需要辅助电压源就可实现软开关。