SiC MOSFET Al接触孔填充优化

以制备碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)器件为背景,通过实验研究铝(Al)接触孔填充工艺,分析磁控溅射中溅射温度、功率、靶片间距和优化刻蚀角度等参数对接触孔填充效果的影响。当靶片间距设定为5500 step时,填充高度可由1.487μm增加至1.780μm;当采用湿法腐蚀和干法刻蚀优化刻蚀角度时,填充效果最佳,填充高度可增大至2.72μm,为实际工程应用中参数设置及工艺调试提供参考方向。