光电耦合器高能质子位移辐射损伤效应评估

文章针对光电耦合器的空间辐射损伤效应,在国内首次开展了高能质子辐照对光电耦合器的位移损伤效应试验研究。结果表明:电流传输比是光电耦合器件位移损伤的敏感参数;相同质子等效注量辐照下,70MeV能量的质子比191.17MeV能量的质子对光电耦合器的损伤更严重;此外其他条件相同时,较大驱动电流下器件的位移损伤较小。文章还分析了引起光电耦合器件电流传输比退化的原因。

微机控制的光耦参数测试仪的设计

通过采用PC机打印口控制的光耦参数测试仪的制作过程,具体说明了该测试仪所用的接口电路、转换电路、测量电路以及用C语言编写的程序,使测试仪成为智能化的多功能仪表。实践证明该装置使用方便,测量精度高,控制性能好。

基于PIC单片机控制的光耦老化台的设计

根据高可靠光耦的老化要求,设计和制造了采用PIC系列单片机控制的光电耦合器老化设备。具体介绍了老化台的单元反馈电路,用PIC单片机实现对电源自动控制、960位器件老化的实现方法;为设备的改造指出新的出路。