超低介电常数材料和多孔SiOCH薄膜

集成电路的特征尺寸将降低到 0 .1μm ,这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗已经成为限制器件性能的主要因素。目前集成电路的金属连线 /介质层材料为铝 /二氧化硅配置 ,用电阻更小的铜取代铝作金属连线 ,用低介电常数 (低K)材料取代二氧化硅作介质层成为科学意义重要、应用价值巨大的研究课题 ,微电子器件正经历着一场材料的重大变革中。本文着重评述了纳米尺度微电子器件对低介电常数 (低k)薄膜材料的要求 ,介绍了多孔硅基低k薄膜的研究进展。

新型锂电池正极材料的制备及电化学性能研究

采用水热法以及后退火处理合成了锂离子电池正极材料Lix/3+1Ni1/2-x/2-y/2Mnx/6+1/2-y/2CryO2(0≤x≤1,0≤y<0.4,x+y≤1)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)以及恒电流充放电测试,研究了复合材料的晶体结构、形貌以及电化学性能,并考察了不同原料配比对材料电化学性能的影响。实验结果表明,制得的Lix/3+1-Ni1/2-x/2-y/2Mnx/6+1/2-y/2CryO2正极材料结晶度高,粒度分布均匀。其中,样品Li1.1833Ni0.2Mn0.5667Cr0.05O2的首次充放电比容量最高,分别为153.5 mAh/g和213.8 mAh/g[电压范围为2.0～5.0 V(vs.Li+/Li),充放电倍率为0.2 C];样品Li1.2Ni0.2-Mn0.6O2则体现出优异的循环稳定性。

变频偏振微波场辅助斯托纳粒子磁矩翻转的动力学研究

文章基于朗道-栗弗席兹-吉尔伯特(Landau-Lifshitz-Gilbert)方程研究了变频偏振微波场辅助斯托纳(Stoner)粒子磁矩翻转的动力学性质。考虑磁单轴各向异性,通过数值模拟研究了磁矩翻转的临界翻转场和对应的微波频率之间的关系。研究表明当偏振微波沿轴﹑轴两个方向的频率均接近于铁磁共振频率时,斯托纳粒子在磁矩翻转过程中需要最小的临界翻转场。这一研究结果有望应用于提高低功耗磁性存储器的存储性能。