电子设备静电放电抗扰度性能优化研究

静电放电(ESD)抗扰度性能已成为衡量电子产品性能的一项重要指标.针对某一型号的称重控制器提出了一种用于提高该被测设备静电放电抗扰度性能的新方法.针对称重控制器的结构,分析其因不良的架构导致静电放电的原因,通过铜带线改良其连接,使其成为一个紧密整体,并分别对于液晶显示部分和内壳结构进行改进.实验结果表明被测物体可顺利通过测试,证明了该方法的有效性.

一种T-SCC脉冲发生器的研制

针对传统Marx发生器存在的时间常数大、输出效率低、输出参数单一等问题,通过优化SSBM(Solid-State Bipolar Marx)电容储能单元的全桥IGBT结构,设计了T-SCC(Two-Switches Capacitors Cells)脉冲发生器,并且根据高频高压下功率IGBT呈现容性负载的特性,提出一种寄生参数动态模型。对寄生参数动态模型的仿真实验结果表明T-SCC脉冲发生器能输出μs级上升沿的双极性脉冲电压,提高了系统输出电压和寄生电容充放电速度,达到了脉冲上升沿压缩的目的。