太阳能电池冷却器的设计与研究

介绍了一种太阳能电池冷却的方法，对太阳能电池冷却器进行了设计。讨论了不同结构参数对于冷却器性能的影响。结果表明，当翅片高度为10-20mm，间距为20-40mm时，冷却效果最好。搭建了冷却器性能实验台，并对其冷却性能做了实验研究，发现经过冷却的电池板，其背板温度最高可以降低15℃，相对电效率平均提高约12％。

多步扩散制备太阳电池pn结工艺的研究

在制备晶体硅太阳电池pn结的扩散工序中,工艺设计对硅片中磷浓度的分布起重要作用进而会影响电池电性能,通过实验研究,优化得出多步扩散工艺。结果显示,采用多步扩散方法可减少死层、增加电活性磷掺杂量,并能通过适当调整第二次恒定源扩散工艺参数实现对填充因子的独立控制。与常规的两步扩散工艺相比,新工艺制备的太阳电池开路电压Voc升高6 m V,填充因子FF得到明显改善,光电转换效率Eff有0.4%的绝对提升,使组件输出效率CTM相应提高0.97%。

环境温度下晶硅光伏组件的直冷背板散热分析

晶硅光伏组件的工作温度严重制约着电池效率及组件寿命的提升,因此光伏冷却研究具有重要意义.通过将纳米结构引入主流光伏组件的高分子背板,从而获得具有增强热传导及热辐射特性的直冷背板,已成为新一代光伏冷却技术的发展趋势.本文聚焦于组件背面的散热特性研究,联合能量平衡方程及光学模拟,分别计算了三种典型环境温度下标准背板与直冷背板的热学功率及降温效果.计算中采用主流商用硅电池的结构参数及封装方式,详细讨论了背板的传热系数与发射率增强对光伏组件热学过程及工作温度的影响.以期为光伏组件直冷背板的设计与制备提供方向.

酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究

多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVDSiNx减反射膜后反射率大大下降。

单晶硅太阳能电池的背场钝化技术研究

太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径,而高转换效率低成本,易于产业化的高效电池技术是太阳电池发展的目标。近年来高转换效率技术层出不穷,例如SE电池(Selective emitter Cell),MWT电池(Metal warp through cell)和EWT电池(Emitter Warp through cell)等。这些高效电池均采用了良好的钝化技术。而常规晶硅太阳电池由于没有采用背场钝化技术,只使用铝背场,而经过烧结形成的铝硅合金背表面在减少复合和背反射效果方面有很大的局限性,并且铝硅合金区本身即高复合区,限制了电池效率的进一步提高。因此为了进一步提高开路电压及短路电流,对硅基背表面进行钝化是很有必要的。通过试验,着重比较了SiNx背场钝化层和SiO2背场钝化层对电池电性参数的影响和变化趋势。通过对电池片IQE分析发现,在使用了SiO2或SiNx背场钝化层后,长波区域的IQE响应相比正常电池片有明显提升,说明SiO2或SiNx确实起到钝化作用。而再对电性参数分析后发现,SiO2与SiNx相比可以有效提高电池的Rsh,降低反向电流。同时在EFF测试方面,SiO2与SiNx相比,也具有一定的优势。

我国太阳电池产业与市场热点解读

近几年,全球对可再生、清洁和安全能源的需求,成为推动太阳电池产业最根本的发展动力。在这样的大环境下,我国太阳电池产业取得了不俗的业绩。2005年,我国太阳电池生产总量达到139MW,较2004年猛增了179%,2006年达到400MW,从而超过美国跃升为全球第三大生产国。据业内人士预计,未来几年随着发电成本的不断下降及相关扶持政策的出台,我国太阳能产业将步入快速发展轨道。

测定双面光伏组件等效电池温度开路电压法

利用现有国际标准的开路电压法,扩展研究了双面光伏组件的等效电池温度的测量方法。首先,将目前标准中温度的修正参数α变为更加合理准确的新的修正系数B1与B2。然后,通过遮挡双面组件背面来测量双面组件的等效电池温度。该方法填补了目前标准对双面组件测量的空白。

城市水资源污染治理与环境保护刍议

近年来,社会经济飞速发展,而由此也引发了越来越严重的环境问题。随着城市人口以及市区内各类工厂企业的不断增多,城市水资源的污染程度正不断加大,如何处理好城市水污染问题,保证居民的健康生活,从而保障经济的持续发展,是政府相关部门亟需进行解决的问题。

电负性气体的掺入对容性耦合Ar等离子体的影响

本文利用朗缪尔静电探针对掺入了电负性气体O2,Cl2,SF6的由4068MHz激发的单射频容性耦合Ar等离子体进行了诊断测量.测量结果表明:随着电负性气体流量的增加,电子能量概率分布函数出现了高能峰,高能峰且有向高能侧漂移的现象;电负性气体掺入Ar等离子体后显著降低了等离子体的电子密度;电子温度随着电负性气体流量比的增加而升高.另外,本文还测量了掺入三种电负性气体后在不同流量比下的混合气体等离子体的电负度α.对实验现象进行了初步的解释.

热处理温度对铸造多晶硅棒切割性能与电性能的影响

采用箱式气氛炉对铸造多晶硅棒进行热处理,研究了热处理温度对多晶硅方棒硬度、切割性能的影响。结果表明,经800、1000、1100℃热处理5h后多晶硅方棒硬度提高,而1150℃处理后,硬度开始下降,1200℃处理后硬度明显下降。经1200℃以上处理后多晶硅方棒切割性能优良,在使用金刚线切片机切割过程中,线痕、崩边、总厚度偏差(TTV)等现象明显得到改善。然而,经上述工艺热处理的多晶硅棒经常规工艺制成的电池片光电转换效率显著下降,这可能是热处理过程中气氛炉保温材料中的杂质元素扩散至方棒中,影响了电池的光电转换效率。

表面化学处理对铸造多晶硅棒表面形貌及切割性能的影响

使用KOH溶液对铸造多晶硅硅棒表面进行腐蚀,并用H2O2溶液进行氧化处理,研究了温度和KOH溶液浓度对硅棒的腐蚀程度以及不同温度的30%的H2O2溶液对腐蚀后的硅棒的氧化效果,并对其切割性能进行了研究。结果表明,硅棒在65℃、质量浓度为20%的KOH溶液中腐蚀2min后效果最好;腐蚀后的硅棒在55℃的30%的H2O2溶液中浸泡8min后的表面氧化程度最高。使用腐蚀和氧化效果最好的溶液配比处理硅棒,在使用金刚线切片机切割后硅棒崩边比例下降了87%。