AZ5214光刻胶及像反转特性的实验研究

通过实验研究了ＡＺ５２１４光刻胶分别用作正型抗蚀剂和负型抗蚀剂的光刻工艺，给出了抗蚀剂厚度为１μｍ的最佳光刻工艺参数，介绍了ＡＺ５２１４像反转特性的实验研究结果。

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法 ,设计并利用电子束直写系统加工了用于实现邻近效应校正的灰阶编码掩模 ,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正 ,获得了满意的实验结果 ,在可加工 0 7微米的I线曝光装置上获得了经邻近效应校正的 0 5微米光刻线条。

380GHz辐射计前端关键技术研究

辐射计是一种用于测量物体热辐射的高灵敏度接收机,是被动微波遥感的主要工具。辐射计前端作为辐射计系统的重要组成部分,其性能直接影响系统的指标。本文介绍一种380GHz辐射计前端关键技术的设计,包括380GHz分谐波混频器及作为本振驱动的190GHz三倍频器。其中380GHz分谐波混频器在2.5~3.5GHz中频输出频率范围内实测变频损耗低于10d B,均值为9d B;等效噪声温度达到1300K,均值约为2000K。190GHz三倍频器已完成仿真设计,在190GHz频率点倍频效率大于25%,输出功率约18m W,在183~193GHz的频带范围内,输出功率大于5m W。

微光刻相移掩模技术研究

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率。

校正激光直写邻近效应的快速方法

针对激光直写中的邻近效应的特点，提出通过直写曝光数据预补偿进行光学邻近效应校正的快速、有效方法，并获得了满意的实验结果。

一种用于薄膜热容测量的微热量计的设计与制作

目前已发现并证实薄膜的热导率和热扩散率存在着尺寸效应。本文为了研究薄膜的另一个热学性质比热是否也具有尺寸效应 ,提出了一种用于薄膜热容测量的新方法 ,其相应的实验器件为一悬膜结构。从理论上阐述了其测量原理 ,结合ANSYS热学模拟设计并利用微机械加工技术制作出SiO2 悬膜结构 ,悬膜由两个悬臂支撑 ,在悬膜上制作了Pt薄膜电阻同时用于加热和测温。这种结构加快了样品、悬膜和加热 /测温电阻之间的热传递 ,减小了悬膜的热损失 ,提高了测量精度。

用CHF_3/Ar为工作气体刻蚀融石英

报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率范围在１２０～１６０Ｗ，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｃｍ（１ｃｍ３／ｍｉｎｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ／ｍｉｎｕｔｅ）和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１３～１９Ｐａ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。

光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系

依据物的空间频谱分布、部分相干成象理论及空间滤波概念，分析了投影光刻中的掩模特征尺寸与光学邻近效应（ＯＰＥ）的关系。

用光致抗蚀剂作牺性层材料制作可动微机械

报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。

用于生物微反应器pH在线监测光纤传感器研究

以生物微反应器中培养液pH在线监测为目标,研制出一种基于光度吸收原理的阵列光纤传感器。利用MEMS加工工艺,制备出传感器的阵列吸光池芯片,采用光学软件对吸光池进行优化设计,提高了传感器光传输效率,并通过CFD软件进行流体模拟,优化吸光池结构,降低了溶液死体积,缩短传感器响应时间。实验结果表明,所研究的传感器阵列检测灵敏度为0.83V/pH,响应速度快,可用于多个生物微反应器的pH在线监测。

Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar

报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术，研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率在１２０～１６０Ｗ范围，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｍ和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１００～１４０ｍＴｏｒ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。

用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械

报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。要求的掩模数减到最少。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。

微细图形光刻计算机模拟软件

本文介绍了新近开发成功的ＢＥＨＡＶＥ软件。该软件具有良好的交互式界面，全面高效的计算模拟功能，是研究探讨微细图形光刻中的驻波效应以及整个微细图形光刻工艺计算模拟的强有力工具。

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。

纳米压印加工技术发展综述

纳米技术是一项有望为 2 1世纪人类生活的各个方面带来革命的技术。纳米技术不是在一夜之间产生出来的 ;它是在业已发展多年的、为我们带来了微芯片和其它微米产品的基础上产生的。任何纳米技术均依赖通过纳米加工技术将物体加工至纳米尺度。许多具有 10 0纳米以下加工能力的技术已被开发出来。纳米压印技术就是其中的一项很有希望的技术 ;它具有低成本、高产量和高分辨率的特点。本文对纳米压印技术的发展进行了综述 ,描述了纳米压印的基本原理 ,然后对近年的新进展进行了介绍 ,并特别强调了纳米压印的产业化问题。我们希望这篇综述能够引起国内工业界和学术界的关注 ,并致力于在中国发展纳米压印技术。

电子束直写制作低效取样光栅

低效取样光栅是激光取样技术的一种重要元件 ,它可以看成离轴的二相位的菲涅耳波带板。基于菲涅耳波带板的形成原理 ,对取样光栅的变周期环带结构进行了理论分析 ,推导出取样光栅的透过率函数。并在此基础上 ,采用电子束直写加工光栅掩模 ,制作取样光栅。该方法与一般的光学全息方法相比 ,具有设计灵活、重复性好、适于大批量生产等优点。

灰阶编码掩模制作微光学元件

提出一种基于改变灰阶编码掩模的单元形状和位置的掩模设计新方法 ,并根据成像过程中的非线性因素 ,用这种方法对掩模图形进行了预畸变校正。根据部分相干光成像理论和抗蚀剂曝光显影模型 ,模拟计算了这种灰阶编码掩模产生的空间光强分布和光刻胶上的浮雕结构。采用电子束曝光系统制作了这种掩模 。

光学邻近效应校正的新方法

基于波前加工的观点，从调整像面光强分布出发，提出一种在掩模上添加亚分辨的亮暗衬线校正光学邻近效应的新方法，并详细讨论了添加这种亮暗衬线的规则及所获得的结果。

灰阶掩模实现光学邻近校正及计算模拟研究

从光学邻近效应产生机理出发，提出用带灰阶衬线的灰阶掩模实现光学邻近效应精细校正的新方法，并指出掩模图形振幅信息的优化，即合理分布掩模图形的空间频谱，可以改善空间像的光强分布并获得高质量的光刻图样。计算表明，校正后的成像图样与理想像的偏差小于０．９％。

X射线激光研究的进展概述

Ｘ射线激光是目前激光物理与等离子体物理中的一个重要研究领域，文章介绍了ｘ射线激光的基本物理概念、最新研究动态、目前存在的问题和困难以及Ｘ射线激光研究和应用的发展趋势。