D优化的实验设计在IC工艺和器件优化中的应用

论述了实验设计（ＤＯＥ）技术与ＴＣＡＤ相结合用于半导体工艺和器件性能优化的新途径，它可以极大地减少开发和研制新工艺、新器件的时间和成本。Ｄ优化的实验设计方法在安排实验方面有很大的灵活性。本文以亚微米埋沟ＰＭＯＳ晶体管为例，讨论了用Ｄ优化的实验设计拟合响应表面的方法以及改善模型拟合精度的措施。根据拟合的响应表面预测器件性能，优化工艺条件，预测结果和模拟结果取得了很好的一致性。