注空气低温氧化驱油室内实验与油藏筛选标准

对于低渗透油藏和注水开发后期油藏来说,注空气低温氧化提高采收率技术是一种经济、有效的方法。通过注空气低温氧化静态实验和注空气动态驱油实验,进行注空气技术可行性研究,评价不同油品的低温氧化性能,结合应用实例,建立了注空气目标油藏筛选标准,如油藏温度、油藏厚度、原油性质等。产出气中氧气的体积分数低于5%的实验结果表明,开展注空气提高采收率技术安全、有效,具有推广应用的价值。

可控串联电容补偿装置阻尼电力系统低频振荡分析

本文推导了装有可控串联电容补偿装置的电力系统的线性化模型，利用复转矩系数法分析了可控串补阻尼控制向振荡提供阻尼的机理。在此基础上，通过对振荡模式的分析，提出了如何选取可控串联补偿装置的装设地点。利用线性最优控制规律设计了阻尼控制器，并讨论了阻尼控制器的控制参数和系统振荡模式的关系。特征值分析与非线性仿真验证了本文所提方法的有效性和正确性。

蜗壳内部流动特性数值分析及改进设计研究

在分析研究现有蜗壳设计理论的基础上，提出了直接给定蜗壳过流断面面积规律进行蜗壳结构设计的方法。对一离心式透平压缩机不同的蜗壳在不同工况条件下的内部流动情况进行了三维可压缩定常流动的数值计算分析并介绍了数值分析结果。

设计灵活交流输电稳定器的相位补偿法(I)单机无穷大电力系统

在电力系统推广Ｐｈｉｌｉｐｓ－Ｈｅｆｒｏｎ模型的基础上，首次系统地将传统的相位补偿法应用于灵活交流输电稳定器（ＦＡＣＴＳ）的设计，以镇定电力系统振荡，提高系统的稳定性。本篇讨论单机无穷大电力系统，并给出３种灵活交流输电稳定器的设计实例。

氧饱和煤焦和二氧化碳气化煤焦的TPD—MS谱分析

氧饱和煤焦的TPD-MS谱中的CO_2脱附曲线是宽阔带状,在683K附近有一个脱附峰,CO脱附曲线有一个由963K主峰和1083K的肩峰组成的巨大脱附峰及一个在1473K附近的脱附峰。CO_2气化煤焦的TPD—MS谱只有一条CO脱附曲线,在1253和1473K附近突出两个脱附峰。用CO处理的煤焦样品的TPD-MS谱与CO_2气化煤焦样品的TPD-MS谱相似。由此推测仅有两种分别具有半醌型和环醚型结构的碳表面氧化物参与气化反应,并从结构角度解释了煤焦CO_2气化反应的机理。

多机电力系统中灵活交流输电稳定器安装地点和反馈信号选择的降阶模态分析法

本文提出了一种在多机电力系统中选择灵活交流输电稳定器（ＦＡＣＴＳ－ｂａｓｅｄｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）安装地点和反馈信号的新方法——降阶模态分析法。这一方法形成于一组降阶模态分析公式。它由电力系统推广Ｐｈｉｌｉｐｓ－Ｈｅｆｒｏｎ模型得到，与由全系统状态矩阵进行的通常模态分析完全等效。降阶模态分析法能够保证：所有参加分析计算的矩阵的维数均不超过系统中的发电机数。这样，不仅大大降低了分析所需的运算量和计算机内存，而且有效地避免了通常由全系统状态矩阵进行模态分析所存在的高维矩阵特征解的数值困难。

以稳定指标灵敏度确定发电机有功功率输出极限(英文)

轨迹灵敏度提供了将轨迹变化定量化的方法,可揭示由参数或初始条件的微小改变所导致的动态轨迹的变化程度,并能用来探究参数空间的轨迹特征。轨迹分析法是电力系统暂态稳定分析的有效方法,能定量给出反映稳定程度的稳定指标和不稳定指标。文章基于轨迹分析法和轨迹灵敏度提出了一种稳定指标灵敏度计算方法用于估计发电机有功功率输出极限。应用此方法进行了案例研究,把稳定指标灵敏度应用到IEEE-39母线系统,与相应的仿真结果比较而言,所得的结果是令人满意的。

平行多导线系统的相模变换矩阵和波阻抗计算

电力系统中大量使用的输电线路是平行多导线系统。一个平行多导线系统的基本参数为单位长度串联阻抗矩阵Z 和导纳矩阵 Y,相似变换矩阵 T_(v)、T_(i)分别将 ZY 和 YZ 对角化。利用线性矩阵代数理论,通过严格数学证明,讨论了 T_(v)和 T_(i)的内在关系,说明被大量文献引用的 T_(i)= T_(v)^(-T)是一种人为规定,而不是将 ZY 和 YZ 对角化的必要条件。证明 T_(v)、T_(i)也能将 Z 和 Y 对角化,澄清了不能对角化的不实观点。平行多导线系统波阻抗是基本参数的导出参数,明确了相域波阻抗的定义,给出了计算方法和几种计算公式。证明模域波阻抗随变换矩阵的不同而不同,但相域波阻抗不随变换矩阵的变化而变化。还阐述了单导线系统与多导线系统波阻抗的区别,不可将前者的计算公式直接应用于后者。最后,通过实例示范了 ZY、YZ 的对角化和波阻抗计算。

灵活交流输电系统技术

采用灵活交流输电系统(FACTS)技术能快速灵活控制系统输电线路的功率流向和大小,充分发挥现有系统的潜力。本文介绍FACTS几种技术、研究方法及相关的电力电子技术的进展,重点分析FACTS技术带来的新概念和新问题。

垂直腔面发射半导体微腔激光器

评述了垂直腔面发射半导体激光器研究的最新进展，就其结构特点、应变量子阱结构、超晶格镜面和微腔效应作了简要的论述，探讨了进一步降低半导体激光器阈值的途径，介绍了新型的氧化约束型垂直腔面发射半导体激光器，并对微腔激光器中自发辐射增强效应和三维封闭腔的特性给出了描述，同时展望了该器件的应用及发展前景．