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半导体—推动大功率系统的关键技术
1
作者
Leo Lorenz
《电力电子》
2005年第4期17-22,共6页
本文首先介绍功率半导体器件的四个发展阶段,重点分析了IGBT技术成功的因素其性能特点,最后介绍本公司研制的功率半导体新器材-完全具有自我保护功能的光触发大功率晶闸管以及研制13kV光触发晶闸管的未来发展规划。
关键词
半导体
大功率系统
自我保护功能
光触发技术
能源转换器
操作系统
下载PDF
职称材料
题名
半导体—推动大功率系统的关键技术
1
作者
Leo Lorenz
机构
英飞凌
(
新加坡
)
科技
公司
出处
《电力电子》
2005年第4期17-22,共6页
文摘
本文首先介绍功率半导体器件的四个发展阶段,重点分析了IGBT技术成功的因素其性能特点,最后介绍本公司研制的功率半导体新器材-完全具有自我保护功能的光触发大功率晶闸管以及研制13kV光触发晶闸管的未来发展规划。
关键词
半导体
大功率系统
自我保护功能
光触发技术
能源转换器
操作系统
Keywords
Power semiconductor device 1GBT Light-triggered thyristor
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体—推动大功率系统的关键技术
Leo Lorenz
《电力电子》
2005
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