FIB技术在硅基上刻蚀光子晶体的研究

光子晶体是一种新型的光波导材料,具有优良的导光性能。亚微米级光子晶体的加工对几何形状要求相当高。聚焦离子束在文中被用作直接写入技术,用于制备亚微米级的圆孔光子晶体。如何在硅基上优化聚焦离子束制备参数是该文的重点。讨论了不同电流不同点刻蚀时间下的刻蚀效果,采用边缘冗余刻蚀方式的刻蚀效果以及不同深度的孔洞的加工。结果表明,选择合适的刻蚀电流和点刻蚀时间对光子晶体加工非常重要。

应用FIB技术直写SOI光子晶体的研究

采用聚焦离子束在硅绝缘体上制备圆孔光子晶体。光子晶体对孔壁的陡直度有相当高的要求。然而由于聚焦离子束的沉积作用,制备出来的孔壁不够陡直,并且光子晶体表面不够平整,严重影响光子晶体导光能力。通过优化聚焦离子束平台的各项参数,特别是采用回旋式矢量扫描路径的刻蚀方式可以达到改进孔壁陡直度和表面平整度的目的。