紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究

用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。

使用SystemC设计UART IP核

IP核技术是系统芯片 SOC设计中的一个重要部分 ,如何实现和利用 IP核减小 SOC设计的复杂度成为目前微电子设计中的热点。将 U ART通信技术核心功能设计成紧凑的 IP核 ,易于应用在各种嵌入式环境。本文说明了如何使用 System C语言工具设计该 IP核。