紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究

用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。

环氧基紫外负性光刻胶的特性、应用工艺与展望

环氧基紫外负性光刻胶(SU-8)是一种近几年发展起来的新型的光刻胶材料。它是一种双酚A酚醛缩水甘油醚环氧树脂溶解于GBL(γ-Butyrolactone)而形成的高分子有机聚合物胶体。SU-8胶作为一种光刻材料,由于其独特的光学性能,力学性能和化学性能等,在MEMS(Micro-electro-mechanic-sys-tem)研究领域正受到了越来越多的关注,目前已被广泛的应用于MEMS器件的制备中。本文介绍了它的结构性能以及发展前景并报道了我们在其加工工艺上的研究进展。

使用SystemC设计UART IP核

IP核技术是系统芯片 SOC设计中的一个重要部分 ,如何实现和利用 IP核减小 SOC设计的复杂度成为目前微电子设计中的热点。将 U ART通信技术核心功能设计成紧凑的 IP核 ,易于应用在各种嵌入式环境。本文说明了如何使用 System C语言工具设计该 IP核。