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氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响
被引量:
1
1
作者
邵静
沈鸿烈
+2 位作者
王学文
高凯
赖斌康
《半导体光电》
CAS
北大核心
2021年第2期240-245,共6页
采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO_(2)/4at%Sb_(2)O_(3)陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜。研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜...
采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO_(2)/4at%Sb_(2)O_(3)陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜。研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析。结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低。在氧含量为10%、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9%升高至85.8%,2000nm处透光率由84.6%下降至23.0%。
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关键词
磁控溅射
ATO
近红外阻隔
氮气退火
溅射功率
压强
下载PDF
职称材料
题名
氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响
被引量:
1
1
作者
邵静
沈鸿烈
王学文
高凯
赖斌康
机构
蚌埠学院数理学院材料物理系
南京航空航天大学
材料
科学与技术
学院
材料
科学
系
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2021年第2期240-245,共6页
基金
国家自然科学基金项目(61774084)
安徽省高校自然科学基金项目(KJ2019A0849)
蚌埠学院高层次人才科研启动经费立项项目(BBXY2018KYQD27)。
文摘
采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO_(2)/4at%Sb_(2)O_(3)陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜。研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析。结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低。在氧含量为10%、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9%升高至85.8%,2000nm处透光率由84.6%下降至23.0%。
关键词
磁控溅射
ATO
近红外阻隔
氮气退火
溅射功率
压强
Keywords
magnetron sputtering
ATO film
NIR blocking
annealing in nitrogen
sputtering power
pressure
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响
邵静
沈鸿烈
王学文
高凯
赖斌康
《半导体光电》
CAS
北大核心
2021
1
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