利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。

视频闯入自动报警技术在采油厂的研究与应用

随着监控数量增多,如何快速地从海量的数据中提取有用的信息对于用户来说至关重要且迫切希望实现,而数字网络智能化的发展则让这些成了现实。就视频监控领域的数字网络智能化来说,通过加入人与物异常等智能算法软件,使网络摄像机成为一个承载智能技术的理想平台,大大提高了监控时效。结合油田采油厂生产监控实际,就基于数字网络智能化的视频闯入自动报警技术在采油厂的研究与应用进行了详细阐述。

SiC材料及器件的应用发展前景

SiC材料是第三代半导体材料,由于可用于军事领域,国外限制该产品的出口。作者首先阐述了SiC材料的基本特性,介绍了SiC晶体的生长技术及晶体供应商,尤其是国内SiC晶体材料的研制现状,最后评述SiC器件的应用领域和市场前景,并指出中国应建立SiC材料及器件研制和应用的产业链。

基于最大后验估计的无监督聚类算法

传统的基于EM算法的聚类方法,当模型的某个高斯分量的协方差矩阵变为奇异矩阵时,会导致聚类失败。提出在聚类过程中用最大后验估计(MAP)来代替极大似然估计(MLE);将一种改进的贝叶斯信息准则(BIC)与模型参数估计同时处理,扩大了模型选择的搜索范围。该算法有效地避免了协方差矩阵在迭代中陷入奇异,并将参数估计和模型选择同时进行。通过R软件进行仿真分析,结过表明改进的算法在减少计算量同时,提高了聚类的准确度,并具有鲁棒性。

基于兴趣点局部综合颜色和纹理图像检索方法

提出了一种基于兴趣点局部区域综合颜色和纹理的图像检索方法。此方法主要用于对图像中有代表意义的局部区域图像特征进行提取。文中研究了对兴趣点的选取以及感兴趣区域的确定,再对感兴趣区域内的图像进行颜色和纹理特征提取。实验证明,此方法提高了图像的检索效率及准确率。

基于谱峰斜率进行变步长搜索的DOA估计方法

针对经典Capon方法存在计算量和存储量庞大、运行时间长、精准度不高的问题,提出一种低复杂度变步长的搜索算法。该方法首次搜索使用大步长的Capon算法,根据谱峰值确定波达方向(DOA)检测范围并求出其斜率值;然后根据斜率首次小于零确定谱峰在其左侧,记斜率小于零点为P,并从点P-2处开始向右进行变步长搜索;最后进行变步长的迭代逼近,得出期望信号的估计角度。所提方法避免了谱峰穷尽搜索,降低了计算量。仿真实验证明,在相同的信噪比下,所提算法准确性的精准度有近9倍的改善;在不同的信噪比下,所提算法的分辨成功率更高;同时,所提算法的均方根误差均明显优于经典的Capon算法。