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表面活性剂对丁二酸冷却结晶动力学的影响研究
被引量:
1
1
作者
于秋硕
马晓迅
徐龙
《高校化学工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期980-984,共5页
杂质可以影响结晶过程中晶体的成核与生长,其影响一般由杂质在晶面上的吸附而导致的溶质固液界面能改变引起。本文基于表面活性剂双亲结构所具有的界面效应,以丁二酸冷却结晶体系作为研究对象,考察了表面活性剂对晶体生长过程的影响。...
杂质可以影响结晶过程中晶体的成核与生长,其影响一般由杂质在晶面上的吸附而导致的溶质固液界面能改变引起。本文基于表面活性剂双亲结构所具有的界面效应,以丁二酸冷却结晶体系作为研究对象,考察了表面活性剂对晶体生长过程的影响。发现表面活性剂可以明显地抑制晶体的生长速率;运用Malkin提出的描述过饱和度和晶体生长速率关系的理论模型对表面活性剂的影响过程进行分析,发现在表面活性剂存在下晶体表面被吸附的溶质分子的密度要明显小于纯水体系。
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关键词
丁二酸
结晶动力学
表面活性剂
模型
下载PDF
职称材料
题名
表面活性剂对丁二酸冷却结晶动力学的影响研究
被引量:
1
1
作者
于秋硕
马晓迅
徐龙
机构
西北大学化工学院、陕北能源先进化工利用技术教育部工程研究中心、陕西洁净能转化工程技术中心
出处
《高校化学工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期980-984,共5页
基金
国家自然科学基金(21106110)
文摘
杂质可以影响结晶过程中晶体的成核与生长,其影响一般由杂质在晶面上的吸附而导致的溶质固液界面能改变引起。本文基于表面活性剂双亲结构所具有的界面效应,以丁二酸冷却结晶体系作为研究对象,考察了表面活性剂对晶体生长过程的影响。发现表面活性剂可以明显地抑制晶体的生长速率;运用Malkin提出的描述过饱和度和晶体生长速率关系的理论模型对表面活性剂的影响过程进行分析,发现在表面活性剂存在下晶体表面被吸附的溶质分子的密度要明显小于纯水体系。
关键词
丁二酸
结晶动力学
表面活性剂
模型
Keywords
succinic acid
crystallization kinetics
surfactants
model
分类号
O552.6 [理学—热学与物质分子运动论]
TQ026.5 [化学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面活性剂对丁二酸冷却结晶动力学的影响研究
于秋硕
马晓迅
徐龙
《高校化学工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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